О механизме генерации убегающих электронов после пробоя промежутка

doi:10.31857/S1234567821020105

Эндаумент фонд ТГУ!
Впиши своё имя в историю университета
- Сделать пожертвование -

Add to "Quick Collection"

Description	Size	Format
О механизме генерации убегающих электронов после пробоя промежутка	916 KB	Adobe Acrobat PDF	Read	Download
DOI Доступ к ресурсу на сайте издателя			10.31857/S1234567821020105

#генерация убегающих электронов

#токи смещения

#напряженность электрического поля

Title: О механизме генерации убегающих электронов после пробоя промежутка
Creator: Белоплотов, Дмитрий Викторович
|
Тарасенко, Виктор Федотович
|
Шкляев, Валерий Александрович
|
Сорокин, Дмитрий Алексеевич
Date: 2021
DOI: 10.31857/S1234567821020105
Description: Представлены данные, объясняющие генерацию убегающих электронов после пробоя промежутка с резко неоднородным распределением напряженности электрического поля. Используя специальную методику измерения тока смещения, вызванного появлением и движением стримера, осуществлена при-вязка осциллограмм напряжения и тока убегающих электронов друг к другу, а также к динамике фор-мирования стримера, которая регистрировалась с помощью четырехканальной ICCD камеры. Показано,что первый пучок убегающих электронов генерируется в окрестности острийного катода в момент по-явления стримера. Второй пучок убегающих электронов генерируется в момент прихода на острийный катод обратной волны ионизации. Предполагается, что генерация второго пучка убегающих электронов происходит в катодном слое. Это подтверждается тем, что второй пучок убегающих электронов отсут-ствует в тех реализациях разряда, при которых наблюдается свечение катодного пятна до замыкания промежутка плазмой.

Relationships: Show Relationship Browser for this Object
collection(s): Радиофизический факультет
Identifier: смотреть в электронном каталоге НБ ТГУ
Rights: Resource access is available in the premises of Research Library
Type: статьи в журналах
Source: Письма в журнал экспериментальной и теоретической физики. 2021. Т. 113, № 1/2. С. 133-139
Language: rus