Влияние технологии постростовой обработки на порог оптического пробоя монокристалла ZnGeP2

doi:10.17223/00213411/64/11/102

Эндаумент фонд ТГУ!
Впиши своё имя в историю университета
- Сделать пожертвование -

Add to "Quick Collection"

Description	Size	Format
Влияние технологии постростовой обработки на порог оптического пробоя монокристалла ZnGeP2	554 KB	Adobe Acrobat PDF	Read	Download
DOI Доступ к ресурсу на сайте издателя			10.17223/00213411/64/11/102

#оптический пробой

#монокристаллы ZnGeP2

#нелинейная оптика

#постростовая обработка

Title: Влияние технологии постростовой обработки на порог оптического пробоя монокристалла ZnGeP2
Creator: Юдин, Николай Николаевич
|
Антипов, Олег Леонидович
|
Грибенюков, Александр Иванович
|
Демин, Виктор Валентинович
|
Зиновьев, Михаил Михайлович
|
Подзывалов, Сергей Николаевич
|
Слюнько, Елена Сергеевна
|
Журавлева, Елена Владимировна
|
Пфайф, Анастасия Андреевна
|
Юдин, Николай Александрович
|
Кулеш, Максим Матвеевич
|
Москвичев, Евгений Николаевич
Date: 2021
DOI: 10.17223/00213411/64/11/102
Description: Определены пороги оптического пробоя монокристаллов ZnGeP2 производства ООО «ЛОК» (Россия) и производства Харбинского технологического института (Китай), которые составили W0d = 1.8 и 2.1 Дж/см2 соответственно при длине волны воздействующего лазерного излучения 2.097 мкм и частоте следования импульсов 10к Гц при длительности импульсов 35 нс. Исследовано влияние постростовой обработки монокристаллов ZnGeP2 (полировка рабочих поверхностей, нанесение просветляющих интерференционных покрытий) на порог оптического пробоя поверхности этих кристаллов. Установлено, что наличие конгломератов кремния в интерференционном просветляющем покрытии приводит к уменьшению порога оптического пробоя.