Темновые токи униполярных барьерных структур на основе теллурида кадмия и ртути для длинноволновых инфракрасных детекторов

doi:10.17223/00213411/64/5/3

Эндаумент фонд ТГУ!
Впиши своё имя в историю университета
- Сделать пожертвование -

Add to "Quick Collection"

Description	Size	Format
Темновые токи униполярных барьерных структур на основе теллурида кадмия и ртути для длинноволновых инфракрасных детекторов	988 KB	Adobe Acrobat PDF	Read	Download
DOI Доступ к ресурсу на сайте издателя			10.17223/00213411/64/5/3

#молекулярно-лучевая эпитаксия

#длинноволновые инфракрасные детекторы

#темновой ток

#поверхностная утечка

#пассивация

#nBn-структура

#теллурид кадмия-ртути

Title: Темновые токи униполярных барьерных структур на основе теллурида кадмия и ртути для длинноволновых инфракрасных детекторов
Creator: Войцеховский, Александр Васильевич
|
Несмелов, Сергей Николаевич
|
Дзядух, Станислав Михайлович
|
Дворецкий, Сергей Алексеевич
|
Михайлов, Николай Николаевич (физик)
|
Сидоров, Георгий Юрьевич
|
Якушев, Максим Витальевич
Date: 2021
DOI: 10.17223/00213411/64/5/3
Description: Изготовлены два вида длинноволновых nBn-структур на основе теллурида кадмия и ртути, выращенного методом молекулярно-лучевой эпитаксии на подложках из GaAs(013). Для каждого вида приборов боковые стенки мезаструктур пассивировались диэлектрической пленкой Al2O3 или оставлялись без пассивации. Содержание CdTe в поглощающих слоях было равно 0.20 и 0.21, а в барьерных слоях – 0.61 и 0.63. Темновые токи изготовленных приборов исследованы в широком диапазоне смещений и температур. Найдены значения компоненты поверхностной утечки в различных условиях. Показано, что плотность тока поверхностной утечки уменьшается при пассивации пленкой Al2O3. Установлено, что при комнатной температуре в nBn-структурах при обратных смещениях доминирует компонента поверхностной утечки, а при прямых смещениях темновой ток определяется совместным влиянием компоненты поверхностной утечки и объемной компоненты тока. Из графиков Аррениуса найдены значения энергий активации компоненты тока поверхностной утечки, которые при небольших обратных смещениях находятся в диапазоне от 0.05 до 0.10 эВ. При небольших обратных смещениях при охлаждении образцов возрастает роль объемной компоненты темнового тока, которая при температуре 180 К составляет примерно 0.81 А/см2. В диапазоне температур 200–300 К значения плотности темнового тока превышают значения, рассчитанные согласно эмпирической модели Rule07, в 10–100 раз, что свидетельствует о возможности создания длинноволновых барьерных детекторов при снижении значений компоненты поверхностной утечки.