Влияние деформации и деформирующих напряжений на параметры дефектной структуры монокристаллов Cu – 12 ат. % Al

doi:10.17223/00213411/64/4/56

Эндаумент фонд ТГУ!
Впиши своё имя в историю университета
- Сделать пожертвование -

Add to "Quick Collection"

Description	Size	Format
Влияние деформации и деформирующих напряжений на параметры дефектной структуры монокристаллов Cu – 12 ат. % Al	1 MB	Adobe Acrobat PDF	Read	Download
DOI Доступ к ресурсу на сайте издателя			10.17223/00213411/64/4/56

#монокристаллы

#стадии деформации

#дислокационная субструктура

#микродвойники

#плотность дислокаций

#сплав Cu – 12 ат. % Al

Title: Влияние деформации и деформирующих напряжений на параметры дефектной структуры монокристаллов Cu – 12 ат. % Al
Creator: Старенченко, Светлана Васильевна
|
Соловьева, Юлия Владимировна
|
Старенченко, Владимир Александрович
|
Соловьев, Артем Николаевич
Date: 2021
DOI: 10.17223/00213411/64/4/56
Description: Представлен детальный анализ дислокационной структуры монокристаллов сплава Cu – 12 ат. %. Al с ориентировкой оси сжатия [001] при комнатной температуре. Показано, что многостадийность кривой упрочнения связана с различными типами дислокационных субструктур, формирующимися в процессе деформации. На всех стадиях деформации присутствует сетчатая дислокационная структура, имеющая характерные черты на каждой из них. Определены параметры сетчатой дислокационной субструктуры, исследована ее эволюция в процессе деформации. Получены зависимости плотности дислокаций от степени деформации и деформирующего сдвигового напряжения. Линейная зависимость τ(ρ1/2) выполняется до деформаций, соответствующих началу стадии III. Показано, что переход к стадии III упрочнения вызван вовлечением в процесс деформации двойникования, которое резко уменьшает интенсивность накопления плотности дислокаций.

Relationships: Show Relationship Browser for this Object
collection(s): Журналы ТГУ
Identifier: смотреть в электронном каталоге НБ ТГУ
Type: статьи в журналах
Source: Известия высших учебных заведений. Физика. 2021. Т. 64, № 4. С. 56-62
Language: rus