В широком диапазоне частот и температур исследован адмиттанс МДП- приборов на основе HgCdTe с квантовыми ямами HgTe в активной области. Показано, что перезарядка уровней размерного квантования в одиночной квантовой яме. Это приводит к появлению осцилляций ёмкости и проводимости МДП-структуры в режиме сильной инверсии. Установлено, значительное влияние одиночной квантовой яме на электрофизические характеристики МДП-приборов.