Изготовлены многослойные униполярные гетероэпитаксиальные структуры на основе HgCdTe, выращенного методом молекулярно-лучевой эпитаксии на подложках из GaAs(013). Результаты экспериментальных исследований темновых токов и адмиттанса свидетельствуют о возможности использования созданных nBn-структур при разработках эффективных инфракрасныхдетекторов для спектрального диапазона 3–5 мкм.
Нанофизика и наноэлектроника : труды XXV Международного симпозиума, 9-12 марта 2021 г., Нижний Новгород. Нижний Новгород, 2021. Т. 2 : Секция 3. С. 603-604