Температурные зависимости произведения дифференциального сопротивления на площадь в МДП-структурах на основе CdxHg1–xTe, выращенного методом молекулярно-лучевой эпитаксии на альтернативных подложках из Si и GaAs

Эндаумент фонд ТГУ!
Впиши своё имя в историю университета
- Сделать пожертвование -

Add to "Quick Collection"

Description	Size	Format
Температурные зависимости произведения дифференциального сопротивления на площадь в МДП-структурах на основе CdxHg1–xTe, выращенного методом молекулярно-лучевой эпитаксии на альтернативных подложках из Si и GaAs	604 KB	Adobe Acrobat PDF	Read	Download

#МДП-структуры

#молекулярно-лучевая эпитаксия

#кадмий-ртуть-теллур

#экспериментальные исследования

Title: Температурные зависимости произведения дифференциального сопротивления на площадь в МДП-структурах на основе CdxHg1–xTe, выращенного методом молекулярно-лучевой эпитаксии на альтернативных подложках из Si и GaAs
Creator: Войцеховский, Александр Васильевич
|
Несмелов, Сергей Николаевич
|
Дзядух, Станислав Михайлович
|
Варавин, Василий Семенович
|
Васильев, Владимир Васильевич (физик)
|
Дворецкий, Сергей Алексеевич
|
Михайлов, Николай Николаевич (физик)
|
Якушев, Максим Михайлович
|
Сидоров, Георгий Юрьевич
Date: 2017
Description: В диапазоне температур 9–200 К экспериментально исследованы температурные зависимости дифференциального сопротивления области пространственного заряда в режиме сильной инверсии для МДП-структур на основе CdₓHg₁₋ₓTe (x = 0.22–0.40), выращенного методом молекулярно-лучевой эпитаксии. Изучено влияние на величину произведения дифференциального сопротивления на площадь различных параметров структур: состава рабочего слоя, типа подложки, типа диэлектрического покрытия, наличия приповерхностного варизонного слоя. Показано, что значения произведения RОПЗA для МДП-структур на основе n-CdHgTe, выращенного на подложке из Si(013), меньше, чем для структур на основе материала, выращенного на подложке из GaAs(013). Значения RОПЗA для МДП-структур на основе p-CdHgTe, выращенного на подложке из Si(013), сравнимы со значением аналогичного параметра для МДП-структур на основе p-CdHgTe, выращенного на подложке из GaAs(013).

Relationships: Show Relationship Browser for this Object
collection(s): Радиофизический факультет | Сибирский физико-технический институт
Identifier: смотреть в электронном каталоге НБ ТГУ
Type: статьи в журналах
Source: Известия высших учебных заведений. Физика. 2017. Т. 60, № 2. С. 141-150
Language: rus

Created: 28-06-2024

3385 Visitors

3329 Hits

80 Downloads

Радиофизический факультет

Сибирский физико-технический институт Температурные зависимости произведения дифференциального сопротивления на площадь в МДП-структурах на основе CdxHg1–xTe, выращенного методом молекулярно-лучевой эпитаксии на альтернативных подложках из Si и GaAs