Вольт-амперные характеристики nBn-структур на основе эпитаксиальных пленок кадмий-ртуть-теллур

doi:10.17223/00213411/62/6/118

Эндаумент фонд ТГУ!
Впиши своё имя в историю университета
- Сделать пожертвование -

Add to "Quick Collection"

Description	Size	Format
Вольт-амперные характеристики nBn-структур на основе эпитаксиальных пленок кадмий-ртуть-теллур	666 KB	Adobe Acrobat PDF	Read	Download
DOI Доступ к ресурсу на сайте издателя			10.17223/00213411/62/6/118

#кадмий-ртуть-теллур

#эпитаксиальные пленки

#вольт-амперные характеристики

#молекулярно-лучевая эпитаксия

#энергия активации

#фототоки

Title: Вольт-амперные характеристики nBn-структур на основе эпитаксиальных пленок кадмий-ртуть-теллур
Creator: Несмелов, Сергей Николаевич
|
Дзядух, Станислав Михайлович
|
Дворецкий, Сергей Алексеевич
|
Михайлов, Николай Николаевич (физик)
|
Сидоров, Георгий Юрьевич
|
Войцеховский, Александр Васильевич
Date: 2019
DOI: 10.17223/00213411/62/6/118
Description: Экспериментально исследованы вольт-амперные характеристики nBn- структур на основе HgCdTe, выращенного методом молекулярно-лучевой эпитаксии (МЛЭ) на подложках из GaAs, в диапазоне температур 9-300 К. Выбор технологических параметров nBn -структур определялся возможностями создания инфракрасных детекторов для спектрального диапазона 3-5 мкм (MWIR). Изучались структуры с различным составом в барьерном слое (от 0.67 до 0.84) при толщине этого слоя от 120 до 300 нм. Установлено, что наибольшее влияние на вид вольт-амперных характеристик оказывает состав в барьерном слое. Для состава, равного 0.84, при небольшом обратном смещении плотность тока значительно меньше, чем для структур с меньшими составами в барьере. Для структур с выраженной зависимостью плотности тока от температуры найдены энергии активации, которые находились в диапазоне от 66 до 123 мэВ. Исследования nBn -структур с разными площадями электродов показали, что для больших плотностей токов важную роль играет утечка по боковым стенкам. Обсуждены возможные механизмы формирования вольт-амперных характеристик в MWIR nBn -структурах на основе МЛЭ HgCdTe.