В данной работе проведён краткий обзор основных характеристик лазеров на NV-центрах в алмазе. На текущий момент лазеры на NV-центрах в отрицательном зарядовом состоянии генерируют импульсное лазерное излучение в диапазоне 714–720 нм длительностью единицы наносекунд с энергией в импульсе десятки микроджоулей и эффективностью несколько процентов. Обозначены основные этапы, пройденные на пути их исследования. Сделаны выводы о перспективах применения и потенциальных проблемах. Кроме того, в статье приведены новые данные об исследовании спектральных характеристик сверхлюминесценции центров NV¯ алмазного лазера при нагреве кристалла от 100 до 300 К.