Температурные и полевые зависимости параметров элементов эквивалентной схемы МДП-структур на основе МЛЭ n-Hg0.775Cd0.225Te в режиме сильной инверсии

Эндаумент фонд ТГУ!
Впиши своё имя в историю университета
- Сделать пожертвование -

Add to "Quick Collection"

Description	Size	Format
Температурные и полевые зависимости параметров элементов эквивалентной схемы МДП-структур на основе МЛЭ n-Hg0.775Cd0.225Te в режиме сильной инверсии	645 KB	Adobe Acrobat PDF	Read	Download

#молекулярно-лучевая эпитаксия

#варизонный слой

#вольт-фарадная характеристика

#емкость и сопротивление области пространственного заряда

#емкость инверсионного слоя

#МДП-структуры

Title: Температурные и полевые зависимости параметров элементов эквивалентной схемы МДП-структур на основе МЛЭ n-Hg0.775Cd0.225Te в режиме сильной инверсии
Creator: Войцеховский, Александр Васильевич
|
Несмелов, Сергей Николаевич
|
Дзядух, Станислав Михайлович
Date: 2016
Description: Предложена методика для определения параметров элементов эквивалентной схемы в сильной инверсии из результатов измерения адмиттанса МДП-структур на основе n-Hg₀.₇₇₅Cd0.₂₂₅Te, выращенного методом молекулярно-лучевой эпитаксии. Показано, что вольт-фарадные характеристики МДП-структур на основе n-Hg₀.₇₇₅Cd0.₂₂₅Te с приповерхностным варизонным слоем при 77 К и частотах, превышающих 10 кГц, имеют высокочастотный вид относительно времени перезарядки поверхностных состояний, расположенных вблизи уровня Ферми для собственного полупроводника. Установлено, что концентрация электронов в приповерхностном варизонном слое превышает интегральную концентрацию, найденную методом Холла, более чем в 2 раза. При помощи предложенной методики для МДП-структуры на основе n-Hg₀.₇₇₅Cd0.₂₂₅Te без варизонного слоя определены температурные зависимости емкости диэлектрика, емкости и дифференциального сопротивления области пространственного заряда, емкости инверсионного слоя. Проведен расчет температурных и полевых зависимостей параметров элементов эквивалентной схемы в сильной инверсии, причем результаты расчета качественно согласуются с результатами, полученными из измерений адмиттанса.

Relationships: Show Relationship Browser for this Object
collection(s): Радиофизический факультет | Сибирский физико-технический институт | Журналы ТГУ
Identifier: смотреть в электронном каталоге НБ ТГУ
Type: статьи в журналах
Source: Известия высших учебных заведений. Физика. 2016. Т. 59, № 7. С. 8-18
Language: rus

Created: 19-06-2024

439 Visitors

365 Hits

91 Downloads

Радиофизический факультет

Сибирский физико-технический институт

Журналы ТГУ Температурные и полевые зависимости параметров элементов эквивалентной схемы МДП-структур на основе МЛЭ n-Hg0.775Cd0.225Te в режиме сильной инверсии