Арсенид галлия с включениями ферромагнитных MnAs нанокластеров в качестве материала для спинтроники. Ч. 1

doi:10.17223/00213411/66/1/56

Эндаумент фонд ТГУ!
Впиши своё имя в историю университета
- Сделать пожертвование -

Add to "Quick Collection"

Description	Size	Format
Арсенид галлия с включениями ферромагнитных MnAs нанокластеров в качестве материала для спинтроники. Ч. 1	463 KB	Adobe Acrobat PDF	Read	Download
DOI Доступ к ресурсу на сайте издателя			10.17223/00213411/66/1/56

#арсенид галлия

#нанокластеры

#магнитные полупроводники

#Кюри температура

#экспериментальные исследования

Title: Арсенид галлия с включениями ферромагнитных MnAs нанокластеров в качестве материала для спинтроники. Ч. 1
Creator: Хлудков, Станислав Степанович
|
Прудаев, Илья Анатольевич
|
Толбанов, Олег Петрович
|
Ивонин, Иван Варфоломеевич
Date: 2023
DOI: 10.17223/00213411/66/1/56
Description: Представлен обзор литературы по магнитным свойствам арсенида галлия, легированного марганцем (GaMnAs), с включениями нанокластеров. Экспериментальные исследования однозначно показали, что GaMnAs с включениями нанокластеров обладает ферромагнитными свойствами с температурой Кюри 350–360 К, что значительно выше, чем у разбавленного магнитного полупроводника GaMnAs, содержащего однородно распределенные атомы марганца. Ферромагнитные свойства таких структур обусловлены включениями нанокластеров MnAs в матрице GaAs. Показано, что GaMnAs с включениями MnAs является перспективным материалом для изготовления устройств спинтроники.