https://vital.lib.tsu.ru/vital/access/manager/Index ${session.getAttribute("locale")} 5 Механизмы рекомбинации в структурах InGaN/GaN с квантовыми ямами при высоких уровнях возбуждения https://vital.lib.tsu.ru/vital/access/manager/Repository/vtls:000522392 Wed 09 Oct 2019 11:09:13 KRAT ]]> Admittance of metal-insulator-semiconductor structures based on graded-gap HgCdTe grown by molecular-beam epitaxy on GaAs substrates https://vital.lib.tsu.ru/vital/access/manager/Repository/vtls:000535375 Mon 03 Dec 2018 11:55:46 KRAT ]]>