https://vital.lib.tsu.ru/vital/access/manager/Index en-us 5 Механизмы рекомбинации в структурах InGaN/GaN с квантовыми ямами при высоких уровнях возбуждения https://vital.lib.tsu.ru/vital/access/manager/Repository/vtls:000522392 Wed 09 Oct 2019 11:09:13 KRAT ]]> Зависимость критической толщины перехода по Странскому-Крастанову в системе GexSi1-x/Si от температуры и состава https://vital.lib.tsu.ru/vital/access/manager/Repository/vtls:000519743 Mon 15 May 2017 09:48:38 KRAT ]]> Создание структур с квантовыми точками Ge/Si молекулярно-лучевой эпитаксией в режиме Странского-Крастанова https://vital.lib.tsu.ru/vital/access/manager/Repository/vtls:000519774 Fri 26 May 2017 16:35:31 KRAT ]]>