Электронная библиотека (репозиторий) Томского государственного университета
Войцеховский, Александр Васильевич | статьи в журналах

Add to Quick Collection   All 130 Results

Showing items 91 - 105 of 130.
Sort:
 Add All Items to Quick Collection
Add   Методы измерения дрейфовой подвижности носителей заряда в излучающих структурах на основе полимерных органических полупроводниковых материалов
Authors: Войцеховский, Александр Васильевич | Коханенко, Андрей Павлович | Романов, Илья Владимирович
Source: Известия высших учебных заведений. Физика. 2013. Т. 56, № 9/2. С. 109-112
Type: статьи в журналах
Date: 2013
Add   Моделирование кремниевого p–i–n-фотодиода со встроенными слоями квантовых точек германия с помощью «TCAD Sentaurus»
Authors: Войцеховский, Александр Васильевич | Коханенко, Андрей Павлович | Сатдаров, Вадим Газизович | Пищагин, Антон Александрович
Source: Известия высших учебных заведений. Физика. 2013. Т. 56, № 9/2. С. 131-133
Type: статьи в журналах
Date: 2013
Add   Низкотемпературная активация ионно-имплантированных атомов бора и азота в гетероэпитаксиальных слоях CdxHg1–xTe
Authors: Войцеховский, Александр Васильевич | Талипов, Нияз Хатимович
Source: Известия высших учебных заведений. Физика. 2013. Т. 56, № 7. С. 36-49
Type: статьи в журналах
Date: 2013
Add   Особенности поведения дифференциальной емкости МДП-структуры при наличии слоев CdTe в варизонном слое полупроводниковой пленки HgCdTe
Authors: Дзядух, Станислав Михайлович | Войцеховский, Александр Васильевич | Несмелов, Сергей Николаевич
Source: Известия высших учебных заведений. Физика. 2013. Т. 56, № 9/2. С. 95-97
Type: статьи в журналах
Date: 2013
Add   Переходная электролюминесценция в тонких полимерных плёнках
Authors: Коханенко, Андрей Павлович | Романов, Илья Владимирович | Гадиров, Руслан Магомедтахирович | Дегтяренко, Константин Михайлович | Копылова, Татьяна Николаевна | Войцеховский, Александр Васильевич
Source: Известия высших учебных заведений. Физика. 2013. Т. 56, № 9/2. С. 122-124
Type: статьи в журналах
Date: 2013
Add   Построение модели расчета параметров клиновидных квантовых точек германия на кремнии при их выращивании методом молекулярно-лучевой эпитаксии
Authors: Войцеховский, Александр Васильевич | Коханенко, Андрей Павлович | Сатдаров, Вадим Газизович | Лозовой, Кирилл Александрович
Source: Известия высших учебных заведений. Физика. 2013. Т. 56, № 9/2. С. 49-51
Type: статьи в журналах
Date: 2013
Add   Расчет пороговых характеристик фотопроводящих детекторов на органических полупроводниках
Authors: Войцеховский, Александр Васильевич | Несмелов, Сергей Николаевич
Source: Известия высших учебных заведений. Физика. 2013. Т. 56, № 9/2. С. 102-105
Type: статьи в журналах
Date: 2013
Add   Теоретическое описание особенностей вольт-фарадных характеристик МДП-структур с квантовыми ямами CdHgTe при температурах 8-300 К
Authors: Войцеховский, Александр Васильевич | Горн, Дмитрий Игоревич
Source: Известия высших учебных заведений. Физика. 2013. Т. 55, № 9/2. С. 37-39
Type: статьи в журналах
Date: 2013
Add   Фоточувствительные структуры на основе наногетероструктур Si/Ge для оптических систем передачи информации
Authors: Войцеховский, Александр Васильевич | Лозовой, Кирилл Александрович | Турапин, Алексей Михайлович | Романов, Иван Сергеевич | Коханенко, Андрей Павлович
Source: Успехи прикладной физики. 2013. Т. 1, № 3. С. 338-343
Type: статьи в журналах
Date: 2013
Add   Фотоэлектрические характеристики МДП-структур на основе гетероэпитаксиального варизонного КРТ МЛЭ
Authors: Войцеховский, Александр Васильевич | Несмелов, Сергей Николаевич | Дзядух, Станислав Михайлович
Source: Успехи прикладной физики. 2013. Т. 1, № 4. С. 493-499
Type: статьи в журналах
Date: 2013
Add   Электрофизические и фотоэлектрические характеристики МДП-структур на основе гетероэпитаксиального HgCdTe, полученного методом молекулярно-лучевой эпитаксии, c неоднородным распределением состава
Authors: Войцеховский, Александр Васильевич | Несмелов, Сергей Николаевич | Дзядух, Станислав Михайлович
Source: Известия высших учебных заведений. Материалы электронной техники. 2013. № 1. С. 38-45
Type: статьи в журналах
Date: 2013
Add   Анализ возможности создания фоточувствительных Si/Ge-наногетероструктур для оптических систем передачи информации
Authors: Коханенко, Андрей Павлович | Лозовой, Кирилл Александрович | Сатдаров, Вадим Газизович | Войцеховский, Александр Васильевич
Source: Известия высших учебных заведений. Физика. 2012. Т. 55, № 8/2. С. 240-241
Type: статьи в журналах
Date: 2012
Add   Анализ спектров фотолюминесценции гетероэпитаксиальных структур на основе CdxHg1–xTe с потенциальными и квантовыми ямами, выращенных методом молекулярно-лучевой эпитаксии
Authors: Горн, Дмитрий Игоревич | Ижнин, Игорь Иванович | Ижнин, Александр Иванович | Гольдин, Виктор Данилович | Михайлов, Николай Николаевич (физик) | Дворецкий, Сергей Алексеевич | Сидоров, Юрий Георгиевич | Якушев, Максим Витальевич | Варавин, Василий Семенович | Войцеховский, Александр Васильевич
Source: Известия высших учебных заведений. Физика. 2012. Т. 55, № 8. С. 50-55
Type: статьи в журналах
Date: 2012
Add   Влияние блокирующего слоя AlGaN на люминесцентные характеристики светодиодных гетероструктур InGaN/GaN
Authors: Мармалюк, Александр Анатольевич | Курешов, Владимир Александрович | Мазалов, Александр Владимирович | Сабитов, Дамир Равильевич | Войцеховский, Александр Васильевич | Коханенко, Андрей Павлович | Романов, Иван Сергеевич
Source: Известия высших учебных заведений. Физика. 2012. Т. 55, № 8/3. С. 56-57
Type: статьи в журналах
Date: 2012
Add   Влияние объемного наносекундного разряда в газовых средах атмосферного давления на электрофизические свойства эпитаксиального материала HgCdTe
Authors: Григорьев, Денис Валерьевич | Коротаев, Александр Григорьевич | Коханенко, Андрей Павлович | Петерс, Александр Сергеевич | Тарасенко, Виктор Федотович | Шулепов, Михаил Александрович | Войцеховский, Александр Васильевич
Source: Известия высших учебных заведений. Физика. 2012. Т. 55, № 8/3. С. 65-66
Type: статьи в журналах
Date: 2012

Creator

Date

Subject

^