Электронная библиотека (репозиторий) Томского государственного университета
теллурид кадмия ртути

Add to Quick Collection   All 89 Results

Showing items 61 - 75 of 89.
Sort:
 Add All Items to Quick Collection
Add   Особенности адмиттанса МДП-структур на основе варизонного МЛЭ p-HgCdTe (x = 0,22—0,23)
Authors: Войцеховский, Александр Васильевич | Дзядух, Станислав Михайлович | Васильев, Владимир Васильевич (физик) | Варавин, Василий Семенович | Дворецкий, Сергей Алексеевич | Михайлов, Николай Николаевич (физик) | Кузьмин, Валерий Давыдович | Ремесник, Владимир Григорьевич | Сидоров, Юрий Георгиевич | Несмелов, Сергей Николаевич
Source: Прикладная физика. 2014. № 4. С. 62-67
Type: статьи в журналах
Date: 2014
Add   Полная проводимость МДП-структур на основе варизонного p-Hg1–хCdхTe (x = 0.22–0.23), выращенного методом молекулярно-лучевой эпитаксии
Authors: Несмелов, Сергей Николаевич | Дзядух, Станислав Михайлович | Васильев, Владимир Васильевич (физик) | Варавин, Василий Семенович | Дворецкий, Сергей Алексеевич | Михайлов, Николай Николаевич (физик) | Кузьмин, Валерий Давыдович | Ремесник, Владимир Григорьевич | Войцеховский, Александр Васильевич
Source: Известия высших учебных заведений. Физика. 2014. Т. 57, № 6. С. 3-11
Type: статьи в журналах
Date: 2014
Add   Спектры фотолюминесценции структур HgCdTe с множественными квантовыми ямами
Authors: Войцеховский, Александр Васильевич | Горн, Дмитрий Игоревич
Source: Известия высших учебных заведений. Физика. 2014. Т. 57, № 10. С. 102-111
Type: статьи в журналах
Date: 2014
Add   Фотолюминесценция гетероструктур HgCdTe с множественными квантовыми ямами
Authors: Войцеховский, Александр Васильевич | Горн, Дмитрий Игоревич
Source: Известия Российской академии наук. Серия физическая. 2014. Т. 78, № 10. С. 1317-1321
Type: статьи в журналах
Date: 2014
Add   Description of electrophysical characteristics for MIS-structures with CdHgTe-based quantum wells under the 8–300 K
Authors: Voytsekhovskiy, Alexander V. | Gorn, Dmitriy Igorevich
Source: Известия высших учебных заведений. Физика. 2013. Т. 56, № 10/3. С. 206-208
Type: статьи в журналах
Date: 2013
Add   Photoluminescence of HgCdTe nanostructures grown by molecular beam epitaxy on GaAs
Authors: Izhnin, A. I. | Mynbaev, Karim D. | Bazhenov, N. L. | Shilyaev, A. V. | Mikhailov, Nikolay N. | Varavin, Vasilii S. | Dvoretsky, Sergei A. | Fitsych, Olena I. | Voytsekhovskiy, Alexander V. | Izhnin, Igor I.
Source: Opto-electronics review. 2013. Vol. 21, № 4. P. 390-394
Type: статьи в журналах
Date: 2013
Add   Влияние комплексного воздействия электронного пучка пикосекундной длительности и объёмного разряда в воздухе атмосферного давления на электрофизические свойства эпитаксиального материала CdHgTe
Authors: Григорьев, Денис Валерьевич | Коротаев, Александр Григорьевич | Коханенко, Андрей Павлович | Петерс, Александр Сергеевич | Тарасенко, Виктор Федотович | Шулепов, Михаил Александрович | Войцеховский, Александр Васильевич
Source: Известия высших учебных заведений. Физика. 2013. Т. 56, № 9/2. С. 137-139
Type: статьи в журналах
Date: 2013
Add   Влияние объемного наносекудного разряда в атмосфере воздуха, аргона и азота на электрофизические свойства узкозонных твердых растворов CdHgTe
Authors: Войцеховский, Александр Васильевич | Григорьев, Денис Валерьевич | Коротаев, Александр Григорьевич | Петерс, Александр Сергеевич | Тарасенко, Виктор Федотович | Шулепов, Михаил Александрович | Коханенко, Андрей Павлович
Source: Успехи прикладной физики. 2013. Т. 1, № 3. С. 333-337
Type: статьи в журналах
Date: 2013
Add   Влияние параметров приповерхностных варизонных слоев на емкостные характеристики МДП-структур на основе гетероэпитаксиального HgCdTe МЛЭ
Authors: Войцеховский, Александр Васильевич | Несмелов, Сергей Николаевич | Дзядух, Станислав Михайлович
Source: Успехи прикладной физики. 2013. Т. 1, № 5. С. 611-616
Type: статьи в журналах
Date: 2013
Add   Влияние режимов имплантации бора на параметры фотодиодов, сформированных в гетероэпитаксиальных слоях CdXHg1–XTe
Authors: Войцеховский, Александр Васильевич | Никитин, Михаил Степанович | Талипов, Нияз Хатимович
Source: Известия высших учебных заведений. Физика. 2013. Т. 56, № 5. С. 104-109
Type: статьи в журналах
Date: 2013
Add   Исследование адмиттанса МДП-структур на основе МЛЭ HgCdTe с квантовыми ямами
Authors: Войцеховский, Александр Васильевич | Несмелов, Сергей Николаевич | Дворецкий, Сергей Алексеевич | Михайлов, Николай Николаевич (физик) | Горн, Дмитрий Игоревич | Дзядух, Станислав Михайлович
Source: Известия высших учебных заведений. Физика. 2013. Т. 56, № 7. С. 50-56
Type: статьи в журналах
Date: 2013
Add   Исследование методом спектроскопии адмиттанса МДП-структур на основе МЛЭ Hg1–xCdxTe после ионной имплантации бора
Authors: Несмелов, Сергей Николаевич | Дзядух, Станислав Михайлович | Ижнин, Игорь Иванович | Савицкий, Григорий Владимирович | Бончик, Александр Юрьевич | Войцеховский, Александр Васильевич
Source: Известия высших учебных заведений. Физика. 2013. Т. 56, № 9/2. С. 85-88
Type: статьи в журналах
Date: 2013
Add   Исследование полной проводимости МДП-структур на основе варизонного МЛЭ HgCdTe в широком диапазоне температур
Authors: Несмелов, Сергей Николаевич | Войцеховский, Александр Васильевич | Дзядух, Станислав Михайлович
Source: Известия высших учебных заведений. Физика. 2013. Т. 56, № 9/2. С. 128-130
Type: статьи в журналах
Date: 2013
Add   Низкотемпературная активация ионно-имплантированных атомов бора и азота в гетероэпитаксиальных слоях CdxHg1–xTe
Authors: Войцеховский, Александр Васильевич | Талипов, Нияз Хатимович
Source: Известия высших учебных заведений. Физика. 2013. Т. 56, № 7. С. 36-49
Type: статьи в журналах
Date: 2013
Add   Особенности поведения дифференциальной емкости МДП-структуры при наличии слоев CdTe в варизонном слое полупроводниковой пленки HgCdTe
Authors: Дзядух, Станислав Михайлович | Войцеховский, Александр Васильевич | Несмелов, Сергей Николаевич
Source: Известия высших учебных заведений. Физика. 2013. Т. 56, № 9/2. С. 95-97
Type: статьи в журналах
Date: 2013

Creator

Date

Subject

Resource Type

^