Электронная библиотека (репозиторий) Томского государственного университета
ионная имплантация

Add to Quick Collection   All 108 Results

Showing items 31 - 45 of 108.
Sort:
 Add All Items to Quick Collection
Source: Известия высших учебных заведений. Физика. 2020. Т. 63, № 7. С. 72-80
Type: статьи в журналах
Date: 2020
Description: Магнетронное распыление, вакуумно-дуговое осаждение и ионная имплантация были использованы для создания трехслойной структуры противокоррозионного покрытия на образцах из нержавеющей стали. Микро-стру ... More
Type: учебные издания
Date: 2020
Description: Лабораторный практикум составлен в соответствии с тематикой и программой (согласно требованиям ФГОС ВПО) курса «Методы и подходы к модификации поверхности биосовместимых полимеров и композитов на их о ... More
Source: Известия высших учебных заведений. Физика. 2020. Т. 63, № 2. С. 98-103
Type: статьи в журналах
Date: 2020
Description: Путем профилирования электрических параметров имплантированных мышьяком пленок CdHgTe, выращенных молекулярно-лучевой эпитаксией, и сопоставления полученных данных с результатами исследований, проведе ... More
Source: Известия высших учебных заведений. Физика. 2020. Т. 63, № 10. С. 136-143
Type: статьи в журналах
Date: 2020
Description: Модификация поверхности ионным пучком обычно проводится в лабораторных условиях, где скорость обработки не имеет большого значения. Тем не менее интересно обсудить возможности, которые могли бы позвол ... More
Source: Известия высших учебных заведений. Физика. 2020. Т. 63, № 9. С. 72-79
Type: статьи в журналах
Date: 2020
Description: Исследованы механизмы повышения стойкости медных образцов, обработанных высокоэнергетическим пучком ионов азота, к адгезионному изнашиванию при трении в паре с медным контртелом в инертной атмосфере а ... More
Source: Известия высших учебных заведений. Физика. 2020. Т. 63, № 10. С. 157-165
Type: статьи в журналах
Date: 2020
Description: Проведены численное моделирование и экспериментальные исследования для определения реальных температур поверхностных и приповерхностных слоев различных материалов в зависимости от режимов высокоинтенс ... More
Source: Известия высших учебных заведений. Физика. 2020. Т. 63, № 10. С. 54-66
Type: статьи в журналах
Date: 2020
Description: Высокоинтенсивная имплантация низкоэнергетических ионов в различные материалы демонстрирует возможность образования протяженных, легированных ионами слоев толщиной десятки и даже сотни микрометров. Гл ... More
Source: Semiconductor science and technology. 2019. Vol. 34, № 3. P. 035009 (1-7)
Type: статьи в журналах
Date: 2019
Description: The results from the electrical profiling of an n-on-p junction formed by 190-keV arsenic ion implantation in an indium/vacancy–doped Hg0.78Cd0.22Te film are presented. Mobility spectrum analysis in c ... More
Source: Materials research express. 2019. Vol. 6, № 7. P. 075912 (1-8)
Type: статьи в журналах
Date: 2019
Description: In this paper experimental results of research of boron ion implantation into Hg1−x Cd x Te epitaxial films of various compositions x are presented. Samples of epitaxial films were grown by the method ... More
Source: International Workshop "Multiscale Biomechanics and Tribology of Inorganic and Organic Systems" ; Международная конференция "Перспективные материалы с иерархической структурой для новых технологий и надежных конструкций" ; VIII Всероссийская научно-практическая конференция с международным участием, посвященная 50-летию основания Института химии нефти "Добыча, подготовка, транспорт нефти и газа" : тезисы докладов. Томск, 2019. С. 265
Type: статьи в сборниках
Date: 2019
Source: International Workshop "Multiscale Biomechanics and Tribology of Inorganic and Organic Systems" ; Международная конференция "Перспективные материалы с иерархической структурой для новых технологий и надежных конструкций" ; VIII Всероссийская научно-практическая конференция с международным участием, посвященная 50-летию основания Института химии нефти "Добыча, подготовка, транспорт нефти и газа" : тезисы докладов. Томск, 2019. С. 436-437
Type: статьи в сборниках
Date: 2019
Source: Semiconductor science and technology. 2018. Vol. 33, № 6. P. 065009 (1-8)
Type: статьи в журналах
Date: 2018
Description: The results of studying the annealing kinetics of the radiation-induced donor-type defects in boron implanted p-type Hg1−x Cd x Te (MCT) are presented. The annealing kinetics of the radiation donor ce ... More

Date

^