Электронная библиотека (репозиторий) Томского государственного университета
гетероструктуры

Add to Quick Collection   All 66 Results

Showing items 31 - 45 of 66.
Sort:
 Add All Items to Quick Collection
Add   Synthesis of epitaxial films based on Ge-Si-Sn materials with Ge/GeSn, Ge/GeSiSn, and GeSn/GeSiSn heterojunctions
Authors: Timofeev, V. A. | Nikiforov, Alexander I. | Mashanov, V. I. | Tuktamyshev, A. R. | Loshkarev, I. D. | Kokhanenko, Andrey P.
Source: Russian physics journal. 2015. Vol. 58, № 7. P. 965-969
Type: статьи в журналах
Date: 2015
Description: Results of investigations into the synthesis of heterostructures based on Ge–Si–Sn materials by the method of low-temperature molecular beam epitaxy are presented. The formation of epitaxial films dur ... More
Add   Влияние толщины барьеров светодиодных гетероструктур (0001) InGaN/GaN/Al2O3 на их оптические характеристики
Authors: Романов, Иван Сергеевич | Брудный, Валентин Натанович | Копьев, Виктор Васильевич | Новиков, Вадим Александрович | Мармалюк, Александр Анатольевич | Курешов, Владимир Александрович | Сабитов, Дамир Равильевич | Мазалов, Александр Владимирович | Прудаев, Илья Анатольевич
Source: Известия высших учебных заведений. Физика. 2015. Т. 58, № 7. С. 110-113
Type: статьи в журналах
Date: 2015
Add   Исследование низкотемпературных электрических характеристик светодиодов из AlGaInP
Authors: Олейник, Владимир Леонидович | Прудаев, Илья Анатольевич
Source: Известия высших учебных заведений. Физика. 2015. Т. 58, № 8/2. С. 138-140
Type: статьи в журналах
Date: 2015
Add   Полупроводниковая электроника : учебно-методический комплекс : [для студентов высших учебных заведений, обучающихся по направлению 03.03.03 «Радиофизика»].
Authors: Гермогенов, Валерий Петрович | Вячистая, Юлия Валерьевна
Type: онлайн-курсы ТГУ. МOODLE
Date: 2015
Description: Учебно-методический комплекс предназначен для электронного сопровождения дисциплины «Полупроводниковая электроника». В учебном материале рассмотрены свойства полупроводниковых барьерных структур. Обсу ... More
Add   Свойства гетероструктур с квантовыми точками Ge/Si для нанофотоники
Authors: Войцеховский, Александр Васильевич | Никифоров, Александр Иванович | Лозовой, Кирилл Александрович | Коханенко, Андрей Павлович
Source: Интерэкспо ГЕО-Сибирь-2015 : XI Международные научный конгресс и выставка. СибОптика-2015 : Международная научная конференция : сборник материалов : [в 3 т.]. Новосибирск, 2015. Т. 1. С. 201-205
Type: статьи в сборниках
Date: 2015
Add   Синтез эпитаксиальных пленок на базе материалов Ge-Si-Sn с гетеропереходами Ge/GeSn, Ge/GeSiSn, GeSn/GeSiSn
Authors: Тимофеев, Вячеслав Алексеевич | Никифоров, Александр Иванович | Машанов, Владимир Иванович | Туктамышев, Артур Раисович | Лошкарев, Иван Дмитриевич | Коханенко, Андрей Павлович
Source: Известия высших учебных заведений. Физика. 2015. Т. 58, № 7. С. 81-85
Type: статьи в журналах
Date: 2015
Description: Представлены результаты исследований по синтезу гетероструктур на основе материалов Ge–Si–Sn методом низкотемпературной молекулярно-лучевой эпитаксии. Формирование эпитаксиальных пленок контролировало ... More
Add   Heterostructures with self-organized quantum dots of Ge on Si for optoelectronic devices
Authors: Voytsekhovskiy, Alexander V. | Kokhanenko, Andrey P. | Satdarov, Vadim G. | Pchelyakov, Oleg P. | Nikiforov, Alexander I. | Lozovoy, Kirill A.
Source: Opto-electronics review. 2014. Vol. 22, № 3. P. 171-177
Type: статьи в журналах
Date: 2014
Add   Адмиттанс МДП-структур на основе варизонного МЛЭ p-Hg1-xCdxTe (x = 0.22-0.23) в режиме сильной инверсии
Authors: Войцеховский, Александр Васильевич | Несмелов, Сергей Николаевич | Дзядух, Станислав Михайлович
Source: Известия высших учебных заведений. Физика. 2014. Т. 57, № 8. С. 59-69
Type: статьи в журналах
Date: 2014
Add   Влияние удельной энергии ребер на величину активационного барьера нуклеации при росте квантовых точек германия на кремнии
Authors: Лозовой, Кирилл Александрович | Коханенко, Андрей Павлович | Войцеховский, Александр Васильевич
Source: Известия высших учебных заведений. Физика. 2014. Т. 57, № 9/2. С. 21-26
Type: статьи в журналах
Date: 2014
Add   Внешний квантовый выход светодиодных структур InGaN/GaN, выращенных на профилированной сапфировой подложке
Authors: Романов, Иван Сергеевич | Новиков, Вадим Александрович | Мармалюк, Александр Анатольевич | Курешов, Владимир Александрович | Сабитов, Дамир Равильевич | Мазалов, Александр Владимирович | Прудаев, Илья Анатольевич
Source: Известия высших учебных заведений. Физика. 2014. Т. 57, № 5. С. 85-88
Type: статьи в журналах
Date: 2014
Add   Особенности топологического состояния в гетероструктуре Sb2Te3–PbBi2S2Te2
Authors: Самороков, Денис Алексеевич
Source: Физика твердого тела : сборник материалов XIV Российской научной студенческой конференции, 13–15 мая 2014 г., Томск, Россия. Томск, 2014. С. 152-155
Type: статьи в сборниках
Date: 2014
Add   Перенос носителей заряда в светодиодах на основе множественных квантовых ям (AlxGa1-x)0.5In0.5P/(Al0.54Ga0.46)0.5In0.5P
Authors: Прудаев, Илья Анатольевич | Романов, Иван Сергеевич | Брудный, Иван Сергеевич | Рябоштан, Юрий Леонидович | Горлачук, Павел Владимирович | Мармалюк, Александр Анатольевич | Олейник, Владимир Леонидович
Source: Известия высших учебных заведений. Физика. 2014. Т. 57, № 7. С. 48-51
Type: статьи в журналах
Date: 2014
Add   Перенос носителей заряда в светодиодах на основе множественных квантовых ям (AlxGa1–x)0.5In0.5P/(Al0.54Ga0.46)0.5In0.5P
Authors: Олейник, Владимир Леонидович | Романов, Иван Сергеевич | Брудный, Валентин Натанович | Рябоштан, Юрий Леонидович | Горлачук, Павел Владимирович | Мармалюк, Александр Анатольевич | Прудаев, Илья Анатольевич
Source: Известия высших учебных заведений. Физика. 2014. Т. 57, № 7. С. 48-51
Type: статьи в журналах
Date: 2014
Add   Прыжковый перенос носителей заряда в светодиодах на основе множественных квантовых ям InGaN/GaN
Authors: Прудаев, Илья Анатольевич | Бактыбаев, Азамат Абдухашимулы | Романов, Иван Сергеевич | Зубрилкина, Юлия Леонидовна
Source: Известия высших учебных заведений. Физика. 2014. Т. 57, № 9. С. 88-89
Type: статьи в журналах
Date: 2014
Add   Релятивистские поправки в теории наноструктур
Authors: Караваев, Геннадий Федорович
Source: Известия высших учебных заведений. Физика. 2014. Т. 57, № 4. С. 92-98
Type: статьи в журналах
Date: 2014

Creator

Date

Subject

Resource Type

^