Электронная библиотека (репозиторий) Томского государственного университета
Прудаев, Илья Анатольевич

This page is only showing items within the active collection. You can remove the filter by clicking here.

Your search on produced these results.

Add to Quick Collection   All 60 Results

Showing items 1 - 15 of 60.
Sort:
 Add All Items to Quick Collection
Add   S-диоды для накачки полупроводниковых лазерных диодов
Authors: Олейник, Владимир Леонидович | Прудаев, Илья Анатольевич | Копьев, Виктор Васильевич | Петрова, Юлианна Сергеевна | Курасова, Анна Сергеевна | Гущин, Сергей Михайлович
Source: Актуальные проблемы радиофизики АПР-2023 : 10-я Международная научно-практическая конференция, 26-29 сентября 2023 года, г. Томск : сборник трудов конференции. Томск, 2023. С. 163-164
Type: статьи в сборниках
Date: 2023
Add   Арсенид галлия с включениями ферромагнитных MnAs нанокластеров в качестве материала для спинтроники. Ч. 1
Authors: Хлудков, Станислав Степанович | Прудаев, Илья Анатольевич | Толбанов, Олег Петрович | Ивонин, Иван Варфоломеевич
Source: Известия высших учебных заведений. Физика. 2023. Т. 66, № 1. С. 56-66
Type: статьи в журналах
Date: 2023
Description: Представлен обзор литературы по магнитным свойствам арсенида галлия, легированного марганцем (GaMnAs), с включениями нанокластеров. Экспериментальные исследования однозначно показали, что GaMnAs с вкл ... More
Add   Арсенид галлия с включениями ферромагнитных MnAs нанокластеров в качестве материала для спинтроники. Ч. 2
Authors: Хлудков, Станислав Степанович | Прудаев, Илья Анатольевич | Толбанов, Олег Петрович | Ивонин, Иван Варфоломеевич
Source: Известия высших учебных заведений. Физика. 2023. Т. 66, № 2. С. 14-22
Type: статьи в журналах
Date: 2023
Description: Представлен обзор работ по магнитным свойствам арсенида галлия, легированного марганцем (GaMnAs), с включениями нанокластеров. Экспериментальные исследования однозначно показали, что GaMnAs с включени ... More
Add   Влияние частоты и температуры на импульсную оптическую мощность лазерной микросборки на основе лавинного S-диода
Authors: Копьев, Виктор Васильевич | Прудаев, Илья Анатольевич | Олейник, Владимир Леонидович | Скакунов, Максим Сергеевич
Source: Актуальные проблемы радиофизики АПР-2023 : 10-я Международная научно-практическая конференция, 26-29 сентября 2023 года, г. Томск : сборник трудов конференции. Томск, 2023. С. 159-160
Type: статьи в сборниках
Date: 2023
Add   Физические основы работы лавинного S-диода
Authors: Прудаев, Илья Анатольевич | Копьев, Виктор Васильевич | Олейник, Владимир Леонидович | Петрова, Юлианна Сергеевна
Source: Актуальные проблемы радиофизики АПР-2023 : 10-я Международная научно-практическая конференция, 26-29 сентября 2023 года, г. Томск : сборник трудов конференции. Томск, 2023. С. 181
Type: статьи в сборниках
Date: 2023
Add   Диффузия примесей и собственных точечных дефектов в арсениде галлия
Authors: Хлудков, Станислав Степанович | Прудаев, Илья Анатольевич | Толбанов, Олег Петрович | Ивонин, Иван Варфоломеевич
Type: монографии
Date: 2022
Description: В монографии систематизированы наиболее важные, по нашему мнению, данные, касающиеся процесса диффузии в арсениде галлия собственных точечных дефектов, донорных, акцепторных примесей, примесей с глубо ... More
Add   Получение и свойства ферромагнитного нитрида алюминия, легированного немагнитными примесями
Authors: Хлудков, Станислав Степанович | Прудаев, Илья Анатольевич | Роот, Людмила Олеговна | Толбанов, Олег Петрович | Ивонин, Иван Варфоломеевич
Source: Известия высших учебных заведений. Физика. 2022. Т. 65, № 6. С. 3-16
Type: статьи в журналах
Date: 2022
Description: Представлен обзор литературы по легированию AlN немагнитными примесями (элементами I, II, III и IV групп обеих подгрупп и редкоземельными элементами), придающими ему ферромагнитные свойства. Детально ... More
Add   Влияние барьерных контактов на транспорт носителей заряда в однородных структурах из GaAs, легированных глубокими центрами Cr и EL2
Authors: Верхолетов, Максим Георгиевич | Прудаев, Илья Анатольевич
Source: Физика и техника полупроводников. 2021. Т. 55, № 8. С. 693-698
Type: статьи в журналах
Date: 2021
Description: Представлены результаты исследования транспорта носителей заряда в структурах из GaAs для детекторов ионизирующих излучений и сверхбыстрых фотоэлектрических переключателей, содержащих глубокие донорны ... More
Add   Образование дислокаций в процессе диффузии примесей в GaAs
Authors: Хлудков, Станислав Степанович | Прудаев, Илья Анатольевич | Толбанов, Олег Петрович | Ивонин, Иван Варфоломеевич
Source: Известия высших учебных заведений. Физика. 2021. Т. 64, № 12. С. 160-165
Type: статьи в журналах
Date: 2021
Description: Проведено исследование образования дислокаций в процессе диффузии примесей в GaAs. Изучено образование дислокаций в диффузионных слоях GaAs, легированных разными примесями (элементами II, IV, VI групп ... More
Add   Нитрид алюминия, легированный переходными металлами, в качестве материала для спинтроники
Authors: Прудаев, Илья Анатольевич | Роот, Людмила Олеговна | Толбанов, Олег Петрович | Ивонин, Иван Варфоломеевич | Хлудков, Станислав Степанович
Source: Известия высших учебных заведений. Физика. 2020. Т. 63, № 11. С. 162-172
Type: статьи в журналах
Date: 2020
Description: Представлен обзор литературы по электрическим и магнитным свойствам нитрида алюминия, легированного примесями переходных металлов группы железа. В обзоре использованы данные из открытых литературных и ... More
Add   Внутренняя квантовая эффективность светодиодных структур при различных распределениях носителей заряда по квантовым ямам InGaN/GaN
Authors: Романов, Иван Сергеевич | Прудаев, Илья Анатольевич | Копьев, Виктор Васильевич
Source: Известия высших учебных заведений. Физика. 2018. Т. 61, № 2. С. 8-11
Type: статьи в журналах
Date: 2018
Description: Представлены результаты исследования влияния толщины барьерных слоев GaN в активной области светодиодных структур с квантовыми ямами InGaN/GaN на внутреннюю квантовую эффективность (Internal Quantum E ... More
Add   Диффузия магния в светодиодных структурах с квантовыми ямами InGaN/GaN при реальных температурах роста p-GaN 860-980 °C
Authors: Романов, Иван Сергеевич | Прудаев, Илья Анатольевич | Брудный, Валентин Натанович
Source: Известия высших учебных заведений. Физика. 2018. Т. 61, № 1. С. 164-166
Type: статьи в журналах
Date: 2018
Description: Представлены результаты исследования диффузии Mg в светодиодных структурах с квантовыми ямами InGaN/GaN синего диапазона длин волн при различных температурах роста слоя p -GaN. Произведена оценка коэф ... More
Add   Транспорт носителей заряда и перезарядка глубоких уровней в структурах для лавинных S-диодов на основе GaAs
Authors: Верхолетов, Максим Георгиевич | Королева, Анастасия Дмитриевна | Толбанов, Олег Петрович | Прудаев, Илья Анатольевич
Source: Письма в журнал технической физики. 2018. Т. 44, вып. 11. С. 21-29
Type: статьи в журналах
Date: 2018
Description: Представлены результаты исследования процессов переноса носителей заряда и перезарядки глубоких уровней в полупроводниковых структурах для лавинных S-диодов. Исследованы арсенид-галлиевые структуры n+ ... More
Add   Электрические, структурные и магнитные свойства арсенида галлия, легированного железом
Authors: Хлудков, Станислав Степанович | Прудаев, Илья Анатольевич | Толбанов, Олег Петрович
Source: Известия высших учебных заведений. Физика. 2018. Т. 61, № 3. С. 82-88
Type: статьи в журналах
Date: 2018
Description: Систематизированы данные по электрическим, структурным и магнитным свойствам арсенида галлия, легированного железом и полученного разными методами. Рассмотрены условия получения структур с магнитными ... More
Add   Влияние баллистической утечки на температурную зависимость квантового выхода светодиодов на основе множественных квантовых ям InGaN/GaN
Authors: Прудаев, Илья Анатольевич | Романов, Иван Сергеевич | Олейник, Владимир Леонидович | Копьев, Виктор Васильевич
Source: Физика и техника полупроводников. 2017. Т. 51, вып. 2. С. 240-246
Type: статьи в журналах
Date: 2017
Description: В работе исследованы зависимости квантового выхода от температуры и уровня возбуждения для светодиодов на основе множественных квантовых ям InGaN/GaN. Эксперимент проводился для двух режимов возбужден ... More

Creator

Date

Subject

Resource Type

^