Электронная библиотека (репозиторий) Томского государственного университета
Войцеховский, Александр Васильевич | 2015 | германий

Add to Quick Collection   All 6 Results

Showing items 1 - 6 of 6.
  • «
  • ←
  • 1
  • →
  • »
Sort:
 Add All Items to Quick Collection
Add   Исследование Si/Ge p-i-n структур с квантовыми точками Ge методом адмиттансной спектроскопии
Authors: Пищагин, Антон Александрович | Коханенко, Андрей Павлович | Войцеховский, Александр Васильевич | Никифоров, Александр Иванович | Лозовой, Кирилл Александрович
Source: Известия высших учебных заведений. Физика. 2015. Т. 58, № 8/2. С. 241-243
Type: статьи в журналах
Date: 2015
Add   Моделирование роста квантовых точек Ge на Si с учетом энергии образования дополнительных ребер и зависимости удельной поверхностной энергии от количества осажденного Ge
Authors: Лозовой, Кирилл Александрович | Коханенко, Андрей Павлович | Войцеховский, Александр Васильевич
Source: Известия высших учебных заведений. Физика. 2015. Т. 58, № 8/3. С. 231-234
Type: статьи в журналах
Date: 2015
Description: В работе описывается кинетическая модель роста квантовых точек германия на кремнии по механизму Странского–Крастанова, учитывающая зависимость удельной поверхностной энергии граней пирамиды от толщины ... More
Add   Оптические и фотоэлектрические свойства наногетероструктур Si/Ge с квантовыми точками Ge
Authors: Войцеховский, Александр Васильевич | Мельников, Александр Александрович (доктор физ.-мат. наук) | Несмелов, Сергей Николаевич | Коханенко, Андрей Павлович | Лозовой, Кирилл Александрович | Сатдаров, Вадим Газизович | Кульчицкий, Николай Александрович
Source: Нано- и микросистемная техника. 2015. № 3. С. 31-41
Type: статьи в журналах
Date: 2015
Description: Представлен анализ научно-технической литературы по оптическим и фотоэлектрическим свойствам наногетероструктур Ge/Si. Описаны особенности полупроводниковых структур с наноразмерными включениями, их о ... More
Add   Расчет критической толщины перехода от двумерного к трехмерному росту в материальной системе GexSi1-x/Si(100)
Authors: Войцеховский, Александр Васильевич | Коханенко, Андрей Павлович | Лозовой, Кирилл Александрович
Source: Известия высших учебных заведений. Физика. 2015. Т. 58, № 8/3. С. 227-230
Type: статьи в журналах
Date: 2015
Add   Свойства гетероструктур с квантовыми точками Ge/Si для нанофотоники
Authors: Войцеховский, Александр Васильевич | Никифоров, Александр Иванович | Лозовой, Кирилл Александрович | Коханенко, Андрей Павлович
Source: Интерэкспо ГЕО-Сибирь-2015 : XI Международные научный конгресс и выставка. СибОптика-2015 : Международная научная конференция : сборник материалов : [в 3 т.]. Новосибирск, 2015. Т. 1. С. 201-205
Type: статьи в сборниках
Date: 2015
Add   Электрофизические характеристики наногетероструктур Si/Ge с квантовыми точками Ge
Authors: Войцеховский, Александр Васильевич | Мельников, Александр Александрович (доктор физ.-мат. наук) | Коханенко, Андрей Павлович | Лозовой, Кирилл Александрович | Сатдаров, Вадим Газизович | Кульчицкий, Николай Александрович
Source: Нано- и микросистемная техника. 2015. № 2. С. 9-20
Type: статьи в журналах
Date: 2015
  • «
  • ←
  • 1
  • →
  • »
^