Please be patient while the object screen loads.
Электронная библиотека (репозиторий)
Томского государственного университета
English
Русский
Home
Show
All
Show
Quick Collection
Browse ↓
Communities & Collections
By Title
By Creator
By Subject
By Date
Additional Resources
Search History
Эндаумент фонд ТГУ!
Впиши своё имя в историю университета
-
Сделать пожертвование
-
Advanced Search
статьи в журналах
|
2015
|
германий
|
Войцеховский, Александр Васильевич
|
электрофизические характеристики
Add to Quick Collection
Description
Size
Format
Электрофизические характеристики наногетероструктур Si/Ge с квантовыми точками Ge
494 KB
Adobe Acrobat PDF
View Details
Download
Title
Электрофизические характеристики наногетероструктур Si/Ge с квантовыми точками Ge
Creator
Войцеховский, Александр Васильевич
Creator
Мельников, Александр Александрович (доктор физ.-мат. наук)
Creator
Коханенко, Андрей Павлович
Creator
Лозовой, Кирилл Александрович
Creator
Сатдаров, Вадим Газизович
Creator
Кульчицкий, Николай Александрович
Contributor
Томский государственный университет Радиофизический факультет Кафедра квантовой электроники и фотоники
Томский государственный университет Сибирский физико-технический институт Научные подразделения СФТИ
Томский государственный университет Радиофизический факультет Научные подразделения РФФ
Томский государственный университет Радиофизический факультет Публикации студентов и аспирантов РФФ
Subject
германий
кремний
наногетероструктуры
квантовые точки
электрофизические характеристики
Date
2015
Relationships
Show Relationship Browser for this Object
collection(s)
Сибирский физико-технический институт
Радиофизический факультет
Identifier
vtls:000501493
http://vital.lib.tsu.ru/vital/access/manager/Repository/vtls:000501493
Type
статьи в журналах
Source
Нано- и микросистемная техника. 2015. № 2. С. 9-20
Language
rus
1949 Visitors
1684 Hits
318 Downloads
Preview
Сибирский физико-технический институт
Радиофизический факультет
Электрофизические характеристики наногетероструктур Si/Ge с квантовыми точками Ge
^ DIV >