Электронная библиотека (репозиторий) Томского государственного университета
Войцеховский, Александр Васильевич | статьи в журналах

Add to Quick Collection   All 110 Results

Showing items 1 - 15 of 110.
Sort:
 Add All Items to Quick Collection
Source: Известия высших учебных заведений. Физика. 2020. Т. 63, № 3. С. 76-87
Type: статьи в журналах
Date: 2020
Description: Представлены результаты исследований адмиттанса униполярных барьерных структур на основе HgCdTe, выращенного методом молекулярно-лучевой эпитаксии (МЛЭ) на подложках из GaAs (013). С использованием па ... More
Source: Известия высших учебных заведений. Физика. 2020. Т. 63, № 6. С. 8-15
Type: статьи в журналах
Date: 2020
Description: Изготовлены три вида nBn -структур на основе теллурида кадмия - ртути, выращенного методом молекулярно-лучевой эпитаксии. В качестве барьерных слоев в nBn -структурах использовался Hg1-x Cd x Te при x ... More
Source: Известия высших учебных заведений. Физика. 2020. Т. 63, № 2. С. 98-103
Type: статьи в журналах
Date: 2020
Description: Путем профилирования электрических параметров имплантированных мышьяком пленок CdHgTe, выращенных молекулярно-лучевой эпитаксией, и сопоставления полученных данных с результатами исследований, проведе ... More
Source: Известия высших учебных заведений. Физика. 2020. Т. 63, № 2. С. 104-109
Type: статьи в журналах
Date: 2020
Description: Рассматривается эпитаксиальный рост квантовых точек германия на окисленной поверхности кремния. Предложена кинетическая модель зарождения и роста трехмерных островков по механизму Фольмера – Вебера в ... More
Source: Известия высших учебных заведений. Физика. 2019. Т. 62, № 2. С. 107-113
Type: статьи в журналах
Date: 2019
Description: В широком диапазоне условий измерения экспериментально исследованы вольт-амперные характеристики и адмиттанс многослойных структур для органических светодиодов на основе системы PEDOT:PSS/NPD/ЯК-203/B ... More
Source: Известия высших учебных заведений. Физика. 2019. Т. 62, № 5. С. 77-85
Type: статьи в журналах
Date: 2019
Description: Впервые экспериментально исследован адмиттанс nBn-структур на основе HgCdTe, выращенного методом молекулярно-лучевой эпитаксии, в широком диапазоне частот и температур. Состав CdTe в барьерном слое ис ... More
Source: Известия высших учебных заведений. Физика. 2019. Т. 62, № 6. С. 118-124
Type: статьи в журналах
Date: 2019
Description: Экспериментально исследованы вольт-амперные характеристики nBn- структур на основе HgCdTe, выращенного методом молекулярно-лучевой эпитаксии (МЛЭ) на подложках из GaAs, в диапазоне температур 9-300 К. ... More
Source: Известия высших учебных заведений. Физика. 2019. Т. 62, № 1. С. 79-87
Type: статьи в журналах
Date: 2019
Description: В широком диапазоне частот и температур экспериментально исследован адмиттанс МДП-структур на основе органических пленок пентацена, сформированных методом термовакуумного напыления на подложках из SiO ... More
Source: Прикладная физика. 2018. № 4. С. 61-67
Type: статьи в журналах
Date: 2018
Description: Представлены расчеты нагрева кристалла CdxHg1-xTe (КРТ) с x = 0,22 в процессе ионнолучевого травления (ИЛТ) низкоэнергетическими ионами Ar+. Показано, что при хорошем тепловом контакте кристалла и охл ... More
Source: Прикладная физика. 2018. № 4. С. 43-48
Type: статьи в журналах
Date: 2018
Description: Вольт-фарадные характеристики (ВФХ) МДП-систем на основе nBn-структуры из HgCdTe, выращенной методом молекулярно-лучевой эпитаксии на подложках из GaAs (013), впервые исследованы при разных частотах и ... More
Source: Прикладная физика. 2018. № 3. С. 15-21
Type: статьи в журналах
Date: 2018
Description: Проведено численное моделирование низкочастотных и высокочастотных вольт-фарадных характеристик (ВФХ) МДП-структур на основе n-Hg0,70Cd0,30Te с приповерхностным варизонным слоем с повышенным содержани ... More
Source: Прикладная физика. 2018. № 4. С. 54-60
Type: статьи в журналах
Date: 2018
Description: Исследованы вольт-фарадные характеристики МДП-структур, полученных на основе эпитаксиальных слоев n-Cd0,24Hg0,76Te, подвергнутых воздействию мягкого рентгеновского излучения. Показано, что в результат ... More
Source: Прикладная физика. 2018. № 3. С. 22-26
Type: статьи в журналах
Date: 2018
Description: В широком диапазоне условий измерения экспериментально исследован адмиттанс МДП-структур на основе МЛЭ p-Hg1-xCdxTe/Si(013) с приповерхностным варизонным слоем с повышенным содержанием CdTe и без тако ... More
Source: Известия высших учебных заведений. Физика. 2018. Т. 61, № 11. С. 162-169
Type: статьи в журналах
Date: 2018
Description: Для режимов обеднения и обогащения предложены эквивалентные схемы МДП-структуры на основе органической тонкой пленки (P3HT) с диэлектриком Al2O3. Проведено моделирование частотных зависимостей емкости ... More

Date

^