Add to Quick Collection
All 3 Results
Showing items 1 - 3 of 3.
Add All Items to Quick Collection
Source: Russian physics journal. 2021. Vol. 63, № 9. P. 1504-1509
Type: статьи в журналах
Date: 2021
Description:
GaSe and InSe nanolayers were obtained by mechanical exfoliation and physical vapor deposition methods on silicon substrates. Employing atomic force microscopy the surface morphology and thickness of
... More
Source: International journal of modern physics B. 2021. Vol. 35, № 27. P. 2150273-1-2150273-14
Type: статьи в журналах
Date: 2021
Description:
GaSe nanoflakes on silicon substrates covered by SiO2 films are prepared by mechanical exfoliation from the bulk Bridgman-grown GaSe crystals using a scotch tape. The thickness of SiO2 films on Si sub
... More
Source: Известия высших учебных заведений. Физика. 2020. Т. 63, № 9. С. 50-54
Type: статьи в журналах
Date: 2020
Description:
Нанослои GaSe и InSe получены на подложках из кремния методами механического отслоения и осаждения из паровой фазы. С помощью атомно-силовой микроскопии исследована морфология поверхностей и определен
... More