Электронная библиотека (репозиторий) Томского государственного университета
молекулярно-лучевая эпитаксия | ионная имплантация

Add to Quick Collection   All 20 Results

Showing items 1 - 15 of 20.
Sort:
 Add All Items to Quick Collection
Source: Infrared physics and technology. 2021. Vol. 114. P. 103665 (1-7)
Type: статьи в журналах
Date: 2021
Description: Carrier species in arsenic-implanted p– and n–type Hg0.7Cd0.3Te films grown by molecular-beam epitaxy were investigated with the use of the Hall-effect studies and mobility spectrum analysis. The impl ... More
Source: Journal of electronic materials. 2021. Vol. 50, № 4. P. 2323-2330
Type: статьи в журналах
Date: 2021
Description: The effect of As+ ion implantation on the electrical properties of the near-surface layer of n-HgCdTe films grown by molecular beam epitaxy (MBE) on Si (310) substrates was experimentally studied. A s ... More
Source: Письма в журнал технической физики. 2021. Т. 47, № 4. С. 33-35
Type: статьи в журналах
Date: 2021
Description: Пленки n-Hg0.775Cd0.225Te с приповерхностными широкозонными слоями выращивались методом молекулярно-лучевой эпитаксии на подложках из Si (013). Для измерений адмиттанса структуры металл-диэлектрик-пол ... More
Source: Фотоника 2021 : Российская конференция и школа молодых ученых по актуальным проблемам полупроводниковой фотоэлектроники (с участием иностранных ученых), 4-8 октября 2021 г., Новосибирск : тезисы докладов. Новосибирск, 2021. С. 140
Type: статьи в сборниках
Date: 2021
Description: В работе представлены результаты исследований процессов накопления радиационных донорных дефектов и их отжига в подвергнутых ионной имплантации (ИИ) мышьяком (As) гетероэпитаксиальных пленках CdxHg1-x ... More
Source: Актуальные проблемы радиофизики АПР-2021 : 9-я Международная научно-практическая конференция, 20-22 октября 2021 года, г. Томск : сборник трудов конференции. Томск, 2021. С. 220-222
Type: статьи в сборниках
Date: 2021
Source: Surface and coatings technology. 2020. Vol. 392. P. 125760 (1-5)
Type: статьи в журналах
Date: 2020
Description: Metal–insulator–semiconductor (MIS) structures based on HgCdTe were fabricated after various stages of pn
Source: Russian physics journal. 2018. Vol. 60, № 10. P. 1752-1757
Type: статьи в журналах
Date: 2018
Description: Complex studies of the defect structure of arsenic-implanted (with the energy of 190 keV) Cd x Hg 1–x Te (x = 0.22) films grown by molecular-beam epitaxy are carried out. The investigations were perfo ... More
Source: 6th International congress on energy fluxes and radiation effects (EFRE 2018), September 16-22, 2018, Tomsk, Russia : abstracts. Tomsk, 2018. P. 354
Type: статьи в сборниках
Date: 2018
Source: XXV Международная научно-техническая конференция и школа по фотоэлектронике и приборам ночного видения, 24-26 мая 2018 г., Москва, Россия : труды конференции. М., 2018. Т. 1 : Пленарные и устные доклады. С. 241-244
Type: статьи в сборниках
Date: 2018
Source: Известия высших учебных заведений. Физика. 2017. Т. 60, № 10. С. 92-97
Type: статьи в журналах
Date: 2017
Description: Проведены комплексные исследования дефектной структуры имплантированных ионами мышьяка (с энергией 190 кэВ) пленок Cd x Hg1- x Te ( x = 0.22), выращенных молекулярно-лучевой эпитаксией. Исследования п ... More
Source: Вакуумная техника, материалы и технология : материалы X международной научно-технической конференции (Москва, КВЦ "Сокольники", 2015, 14-16 апреля). М., 2015. С. 243-248
Type: статьи в сборниках
Date: 2015

Date

^