Электронная библиотека (репозиторий) Томского государственного университета
границы раздела | статьи в журналах

Add to Quick Collection   All 6 Results

Showing items 1 - 6 of 6.
  • «
  • ←
  • 1
  • →
  • »
Sort:
 Add All Items to Quick Collection
Add   Lagrangian formalism for the analysis of acoustic properties of two-phase composite materials with damaged interfaces
Authors: Grinyaev, Y. V. | Chertova, N. V. | Shilko, Evgeny V.
Source: Mechanics of composite materials. 2022. Vol. 58, № 4. P. 453-470
Type: статьи в журналах
Date: 2022
Add   Interface studies in HgTe/HgCdTe quantum wells
Authors: Shvets, Vasiliy | Ikusov, Danil | Uzhakov, Ivan | Dvoretsky, Sergei A. | Mynbaev, Karim D. | Dluzewski, Piotr | Morgiel, Jerzy | Świątek, Zbigniew | Bonchyk, A. Yu. | Mikhailov, Nikolay N. | Izhnin, Igor I.
Source: Physica status solidi B. 2020. Vol. 257, № 5. P. 1900598 (1-5)
Type: статьи в журналах
Date: 2020
Description: Transmission electron microscopy (TEM) is used for the study of interfaces in two HgTe/HgCdTe single quantum-well (QW) structures grown by molecular beam epitaxy on GaAs substrates. The studies are co ... More
Add   Взаимодействие волн с дефектом, характеризующимся нелинейностью общего вида
Authors: Савотченко, Сергей Евгеньевич
Source: Известия высших учебных заведений. Физика. 2019. Т. 62, № 1. С. 3-12
Type: статьи в журналах
Date: 2019
Description: Проанализированы возможные типы стационарных состояний и волн в линейных средах, разделенных нелинейным интерфейсом. Математическая формулировка модели сводится к одномерной краевой задачи для нелиней ... More
Add   Electron-phonon interaction in the 4/3-monolayer of Pb on Si(111):theory versus He-atom scattering experiments
Authors: Benedek, G. | Heid, Rolf | Echenique, Pedro Miguel | Toennies, J. P. | Chulkov, Evgueni V. | Sklyadneva, I. Yu.
Source: The Journal of Physical Chemistry C. 2018. Vol. 122, № 50. P. 29039-29043
Type: статьи в журналах
Date: 2018
Description: The electron–phonon coupling parameter for a dense phase of a 4/3-monolayer of Pb on Si(111) is derived from the temperature dependence of He-atom scattering (HAS) reflectivity upon cooling from the h ... More
Add   Зарядовая нейтральность в полупроводниках: дефекты, границы раздела, поверхность
Authors: Брудный, Валентин Натанович
Source: Известия высших учебных заведений. Физика. 2013. Т. 56, № 7. С. 27-29
Type: статьи в журналах
Date: 2013
Add   Теоретическое исследование границы раздела (110) между полными сплавами Гейслера и GaAs
Authors: Бакулин, Александр Викторович | Еремеев, Сергей Владимирович | Кулькова, Светлана Евгеньевна
Source: Известия высших учебных заведений. Физика. 2010. Т. 53, № 3. С. 14-19
Type: статьи в журналах
Date: 2010
Description: В рамках теории функционала электронной плотности проведен первопринципный расчет электронной структуры и магнитных свойств границы раздела (110) сплавов Co2YZ (Y = Cr, Mn; Z = Al, Si, Ge) с GaAs в за ... More
  • «
  • ←
  • 1
  • →
  • »
^