Электронная библиотека (репозиторий) Томского государственного университета
Холла эффект

Add to Quick Collection   All 9 Results

Showing items 1 - 9 of 9.
  • «
  • 1
  • »
Sort:
 Add All Items to Quick Collection
Source: Surface and coatings technology. 2020. Vol. 393. P. 125721 (1-5)
Type: статьи в журналах
Date: 2020
Description: Results of the Hall-effect studies of surface properties of n–type HgCdTe films modified with arsenic ion implantation
Source: Infrared physics and technology. 2019. Vol. 98. P. 230-235
Type: статьи в журналах
Date: 2019
Description: The Hall-effect/electrical conductivity measurements and mobility spectrum analysis (MSA) have been used for the study of the profiles of different electron species and corresponding defects induced i ... More
Source: Письма в журнал экспериментальной и теоретической физики. 2019. Т. 109, вып. 1/2. С. 118-123
Type: статьи в журналах
Date: 2019
Description: В настоящей работе мы представляем результаты теоретического исследования двух гетероструктур, состоящих из подложки топологического изолятора Bi2Se3 и тонкой пленки ферромагнитного изолятора CrI3 или ... More
Source: Физика твердого тела : сборник материалов XVI Российской научной студенческой конференции, Томск, 17–20 апреля 2018 г.. Томск, 2018. С. 18-20
Type: статьи в сборниках
Date: 2018
Source: XXV Международная научно-техническая конференция и школа по фотоэлектронике и приборам ночного видения, 24-26 мая 2018 г., Москва, Россия : труды конференции. М., 2018. Т. 1 : Пленарные и устные доклады. С. 239-241
Type: статьи в сборниках
Date: 2018
Source: Письма в журнал экспериментальной и теоретической физики. 2017. Т. 105, № 5. С. 275-281
Type: статьи в журналах
Date: 2017
Description: Предложен новый и эффективный способ наведения магнетизма на поверхности топологического изолятора, заключающийся в нанесении на нее тонкой пленки изоструктурного магнитного изолятора, имеющего атомны ... More
Source: Физика твердого тела : сборник материалов XV Российской научной студенческой конференции, 18-20 мая 2016 г., г. Томск, Россия. Томск, 2016. С. 109-111
Type: статьи в сборниках
Date: 2016
Source: Известия высших учебных заведений. Физика. 2011. Т. 54, № 5. С. 75-78
Type: статьи в журналах
Date: 2011
Description: Исследуется ияние дефекто наведенных облучением быстрыми нейронами, на скорость удаления носителей заряда в ядерно-легированном кремнии (p-Si<B, P>) и контрольном p-Si<B> методом измерения коэфициента ... More
  • «
  • 1
  • »

Date

^