Электронная библиотека (репозиторий) Томского государственного университета
Странского-Крастанова переход

Add to Quick Collection   All 6 Results

Showing items 1 - 6 of 6.
  • «
  • ←
  • 1
  • →
  • »
Sort:
 Add All Items to Quick Collection
Add   Динамика сверхструктурных переходов при низкотемпературном росте наноструктур по Странскому-Крастанову
Authors: Лозовой, Кирилл Александрович | Дирко, Владимир Владиславович | Коханенко, Андрей Павлович | Кукенов, Олжас Игоревич | Винарский, Владимир Петрович
Source: Нанофизика и наноэлектроника : труды XXVI Международного симпозиума, 14-17 марта 2022 г., Нижний Новгород. Нижний Новгород, 2022. Т. 2 : Секция 3. С. 907
Type: статьи в сборниках
Date: 2022
Description: В данной работе проводится анализ сверхструктурных переходов при эпитаксиальном росте двумерных слоев и формировании квантовых точек по механизму Странского – Крастанова в упруго-напряженных системах ... More
Add   Comparative analysis of germanium-silicon quantum dots formation on Si(100), Si(111) and Sn/Si(100) surfaces
Authors: Lozovoy, Kirill A. | Kokhanenko, Andrey P. | Voytsekhovskiy, Alexander V.
Source: Nanotechnology. 2018. Vol. 29, № 5. P. 054002 (1-7)
Type: статьи в журналах
Date: 2018
Description: In this paper theoretical modeling of formation and growth of germanium–silicon quantum dots in the method of molecular beam epitaxy (MBE) on different surfaces is carried out. Silicon substrates with ... More
Add   Comparison of the growth processes of germanium quantum dots on the Si (100) and Si(111) surfaces
Authors: Kokhanenko, Andrey P. | Lozovoy, Kirill A. | Voytsekhovskiy, Alexander V.
Source: Russian physics journal. 2018. Vol. 60, № 11. P. 1871-1879
Type: статьи в журналах
Date: 2018
Description: A comparative analysis is carried out of the growth peculiarities under molecular-beam epitaxy of germanium quantum dots on the silicon surfaces with different crystallographic orientations Si(100) an ... More
Add   Critical thickness of transition from 2D to 3D growth and peculiarities of quantum dots formation in GexSi1-x/Sn/Si and Ge1-ySny/Si systems
Authors: Lozovoy, Kirill A. | Kokhanenko, Andrey P. | Voytsekhovskiy, Alexander V.
Source: Surface science. 2018. Vol. 669. P. 45-49
Type: статьи в журналах
Date: 2018
Description: Nowadays using of tin as one of the deposited materials in GeSi/Sn/Si, GeSn/Si and GeSiSn/Si material systems is one of the most topical problems. These materials are very promising for various applic ... More
Add   Расчет критической толщины перехода по Странскому-Крастанову в материальной системе GeSi/Sn/Si
Authors: Лозовой, Кирилл Александрович | Коханенко, Андрей Павлович | Войцеховский, Александр Васильевич
Source: Актуальные проблемы радиофизики : VII Международная научно-практическая конференция, г. Томск, 18-22 сентября 2017 г. : сборник трудов. Томск, 2017. С. 257-260
Type: статьи в сборниках
Date: 2017
Description: В работе рассматривается рост по механизму Странского-Крастанова эпитаксиальных слоев Gех;(Si1-х. на поверхности Si(lOO) с предварительно нанесенным слоем олова. Для расчета критической толщины перехо ... More
Add   Зависимость критической толщины перехода по Странскому-Крастанову в системе GexSi1-x/Si от температуры и состава
Authors: Войцеховский, Александр Васильевич | Коханенко, Андрей Павлович | Лозовой, Кирилл Александрович
Source: Фотоника-2015 : Российская конференция по актуальным проблемам полупроводниковой фотоэлектроники (с участием иностранных ученых), 12-16 октября 2015 г., Новосибирск : тезисы докладов. Новосибирск, 2015. С. 99
Type: статьи в сборниках
Date: 2015
  • «
  • ←
  • 1
  • →
  • »
^