Please be patient while the object screen loads.
Электронная библиотека (репозиторий)
Томского государственного университета
English
Русский
Home
Show
All
Show
Quick Collection
Browse ↓
Communities & Collections
By Title
By Creator
By Subject
By Date
Additional Resources
Search History
Эндаумент фонд ТГУ!
Впиши своё имя в историю университета
-
Сделать пожертвование
-
Advanced Search
Pishchagin, A. A.
|
Nikiforov, A. I.
Add to Quick Collection
Description
Size
Format
Investigation of Si/Ge p-i-n structures with Ge quantum dots by admittance spectroscopy methods
2 MB
Adobe Acrobat PDF
View Details
Download
Title
Investigation of Si/Ge p-i-n structures with Ge quantum dots by admittance spectroscopy methods
Creator
Korotaev, A. G.
Creator
Kokhanenko, Andrey P.
Creator
Nikiforov, A. I.
Creator
Pishchagin, A. A.
Contributor
Томский государственный университет Радиофизический факультет Кафедра квантовой электроники и фотоники
Томский государственный университет Сибирский физико-технический институт Научные подразделения СФТИ
Томский государственный университет Научное управление Лаборатории НУ
Subject
германий-кремний
молекулярно-лучевая эпитаксия
квантовые точки
адмиттанс
фотоэлектрические свойства
Date
2015
Relationships
Show Relationship Browser for this Object
collection(s)
Сибирский физико-технический институт
Радиофизический факультет
Научное управление
Identifier
vtls:000520589
http://vital.lib.tsu.ru/vital/access/manager/Repository/vtls:000520589
Type
статьи в сборниках
Source
СВЧ-техника и телекоммуникационные технологии : 25-я Международная Крымская конференция (КрыМиКо'2015), 6-12 сентября 2015 г., Севастополь, Крым, Россия : материалы конференции : в 2 т.. М. [и др.], 2015. Т. 2. С. 707-708
Language
eng
1679 Visitors
1475 Hits
217 Downloads
Preview
Сибирский физико-технический институт
Радиофизический факультет
Научное управление
Investigation of Si/Ge p-i-n structures with Ge quantum dots by admittance spectroscopy methods
^ DIV >