Приведены результаты исследования электрофизических характеристик пленок ITO, полученных методом магнетронного распыления. Показано, что значительному увеличению электропроводности пленок ITO способствует проведение высокотемпературного отжига вследствие двух процессов. Во-первых, высокотемпературная обработка пленок ITO после их синтеза способствует образованию кристаллической структуры, за счет чего увеличивается подвижность носителей заряда. Во-вторых, в результате проведения высокотемпературного отжига примесь в пленках ITO становится полностью электрически активной, что приводит к увеличению концентрации электронов проводимости и смене механизма электропроводности от полупроводникового к металлическому.