Add to Quick Collection
All 9 Results
Showing items 1 - 9 of 9.
Add All Items to Quick Collection
Source: Прикладная физика. 2022. № 4. С. 40-45
Type: статьи в журналах
Date: 2022
Description:
Проведено исследование структур металл-диэлектрик-полупроводник (МДП) на основе n-HgCdTe (КРТ), выращенного методом молекулярно-лучевой эпитаксии (МЛЭ), в конфигурации NBvN, предназначенных для разраб
... More
Source: XXVI Международная научно-техническая конференция по фотоэлектронике и приборам ночного видения, 25-27 мая 2022 г., Москва, Россия : тезисы докладов. М., 2022. С. 252-254
Type: статьи в сборниках
Date: 2022
Description:
Работа посвящена исследованию характеристик структур МДП на основе МЛЭ N-HgCdTe в конфигурации nBνN методом спектроскопии адмиттанса
Type: монографии
Date: 2021
Description:
В монографии приведен анализ основных достижений в области использования архитектур полупроводниковых фотоприемных устройств, содержащих униполярные барьеры. Рассмотренные разработки демонстрируют улу
... More
Source: Известия высших учебных заведений. Физика. 2015. Т. 58, № 8/2. С. 274-276
Type: статьи в журналах
Date: 2015
Source: Прикладная физика. 2014. № 5. С. 5-10
Type: статьи в журналах
Date: 2014
Source: Известия высших учебных заведений. Физика. 2014. Т. 57, № 10. С. 102-111
Type: статьи в журналах
Date: 2014
Source: Известия Российской академии наук. Серия физическая. 2014. Т. 78, № 10. С. 1317-1321
Type: статьи в журналах
Date: 2014
Source: Известия высших учебных заведений. Физика. 2013. Т. 55, № 9/2. С. 37-39
Type: статьи в журналах
Date: 2013
Authors:
Горн, Дмитрий Игоревич |
Ижнин, Игорь Иванович |
Ижнин, Александр Иванович |
Гольдин, Виктор Данилович |
Михайлов, Николай Николаевич (физик) |
Дворецкий, Сергей Алексеевич |
Сидоров, Юрий Георгиевич |
Якушев, Максим Витальевич |
Варавин, Василий Семенович |
Войцеховский, Александр Васильевич
Source: Известия высших учебных заведений. Физика. 2012. Т. 55, № 8. С. 50-55
Type: статьи в журналах
Date: 2012