Add to Quick Collection
All 16 Results
Showing items 1 - 15 of 16.
Add All Items to Quick Collection
Source: Прикладная физика. 2023. № 4. С. 78-86
Type: статьи в журналах
Date: 2023
Description:
Представлены результаты исследований темновых токов nB(SL)n-структур со сверхрешёткой (СР) в барьерной области на основе Hg1-xCdxTe, выращенного методом молекулярно-лучевой эпитаксии (МЛЭ), в широком
... More
Source: Известия высших учебных заведений. Физика. 2023. Т. 66, № 10. С. 44-53
Type: статьи в журналах
Date: 2023
Description:
Определены оптимальные параметры фоточувствительной униполярной барьерной структуры, которая обладает фоточувствительностью в диапазоне 1−3 мкм, посредством расчета зависимостей максимальной обнаружит
... More
Source: Прикладная физика. 2023. № 5. С. 75-83
Type: статьи в журналах
Date: 2023
Description:
Проведено исследование адмитансных характеристик структуры металлдиэлектрик-полупроводник (МДП), в качестве полупроводника в которой использовалась nBn-структура на основе эпитаксиальных слоев Hg1-x C
... More
Source: Известия высших учебных заведений. Физика. 2023. Т. 66, № 9. С. 5-16
Type: статьи в журналах
Date: 2023
Description:
Представлены описание методики и результаты моделирования энергетической диаграммы, а также электрофизических и фотоэлектрических характеристик униполярных барьерных структур на основе гетероэпитаксиа
... More
Source: Прикладная физика. 2022. № 4. С. 40-45
Type: статьи в журналах
Date: 2022
Description:
Проведено исследование структур металл-диэлектрик-полупроводник (МДП) на основе n-HgCdTe (КРТ), выращенного методом молекулярно-лучевой эпитаксии (МЛЭ), в конфигурации NBvN, предназначенных для разраб
... More
Source: Прикладная физика. 2022. № 3. С. 37-42
Type: статьи в журналах
Date: 2022
Description:
Проведено исследование электрофизических и фотоэлектических характеристик барьерных фоточувствительных структур в конфигурации NBvN на основе n-HgCdTe (КРТ). Исследовано семь различных типов фоточувст
... More
Source: Известия высших учебных заведений. Физика. 2015. Т. 58, № 8/2. С. 271-273
Type: статьи в журналах
Date: 2015
Source: Известия высших учебных заведений. Физика. 2015. Т. 58, № 8/2. С. 274-276
Type: статьи в журналах
Date: 2015
Source: Прикладная физика. 2014. № 5. С. 5-10
Type: статьи в журналах
Date: 2014
Source: Известия высших учебных заведений. Физика. 2014. Т. 57, № 10. С. 102-111
Type: статьи в журналах
Date: 2014
Source: Известия Российской академии наук. Серия физическая. 2014. Т. 78, № 10. С. 1317-1321
Type: статьи в журналах
Date: 2014
Source: Известия высших учебных заведений. Физика. 2013. Т. 56, № 7. С. 50-56
Type: статьи в журналах
Date: 2013
Source: Прикладная физика. 2013. № 5. С. 5-9
Type: статьи в журналах
Date: 2013
Source: Известия высших учебных заведений. Физика. 2013. Т. 55, № 9/2. С. 37-39
Type: статьи в журналах
Date: 2013
Authors:
Горн, Дмитрий Игоревич |
Ижнин, Игорь Иванович |
Ижнин, Александр Иванович |
Гольдин, Виктор Данилович |
Михайлов, Николай Николаевич (физик) |
Дворецкий, Сергей Алексеевич |
Сидоров, Юрий Георгиевич |
Якушев, Максим Витальевич |
Варавин, Василий Семенович |
Войцеховский, Александр Васильевич
Source: Известия высших учебных заведений. Физика. 2012. Т. 55, № 8. С. 50-55
Type: статьи в журналах
Date: 2012