Add to Quick Collection
All 5 Results
Showing items 1 - 5 of 5.
Add All Items to Quick Collection
Source: Infrared physics and technology. 2015. Vol. 71. P. 236-241
Type: статьи в журналах
Date: 2015
Description:
Metal–insulator–semiconductor structures based on n-Hg1−xCdxTe (x = 0.19–0.25) were grown by molecular-beam epitaxy on the GaAs (0 1 3) substrates. Near-surface graded-gap layers with high CdTe conten
... More
Source: Х Международная научно-техническая конференция "Вакуумная техника, материалы и технология" (Москва, КВЦ "Сокольники", 2015, 14-16 апреля). М., 2015. С. 238-242
Type: статьи в сборниках
Date: 2015
Source: Известия высших учебных заведений. Физика. 2014. Т. 57, № 10/3. С. 126-130
Type: статьи в журналах
Date: 2014
Source: Вестник Томского государственного университета. 2005. № 285 : Серия "Физика". С. 129-138
Type: статьи в журналах
Date: 2005
Type: диссертации
Date: 2001