This page is only showing items within the active collection. You can remove the filter by clicking
here.
Add to Quick Collection
All 80 Results
Showing items 1 - 15 of 80.
Add All Items to Quick Collection
Type: учебные издания
Date: 2023
Description:
Рассмотрено явление фотопроводимости в полупроводниках. Даны общие сведения о гетероструктурах и различных типах наноструктур. Особое внимание уделено квантовым точкам, их энергетической структуре и о
... More
Source: Nanotechnology. 2022. Vol. 33, № 11. P. 115603 (1-8)
Type: статьи в журналах
Date: 2022
Description:
In this paper, we analyze superstructural transitions during epitaxial growth of two-dimensional layers and the formation of quantum dots by the Stranski–Krastanov mechanism in elastically stressed sy
... More
Source: Прикладная физика. 2022. № 5. С. 42-48
Type: статьи в журналах
Date: 2022
Description:
Описывается поведение многослойного фотодетектора с квантовыми точками германия в кремнии и его параметры при различных рабочих режимах. Рассматриваются вопросы оптимизации условий роста в методе моле
... More
Source: XXVI Международная научно-техническая конференция по фотоэлектронике и приборам ночного видения, 25-27 мая 2022 г., Москва, Россия : тезисы докладов. М., 2022. С. 287-289
Type: статьи в сборниках
Date: 2022
Description:
В работе описано поведение многослойного фотодетектора с квантовыми точками германия в кремнии и его параметры при различных рабочих режимах. Разработана теоретическая модель для учета наличия в фотод
... More
Source: Pulsed lasers and laser applications AMPL-2021 : the 15th International conference, September 12-17, 2021, Tomsk, Russia : abstracts. Tomsk, 2021. P. 19-20
Type: статьи в сборниках
Date: 2021
Description:
Since the demonstration of molecular beam epitaxy which widened the ability to establish more applications based on semiconductor materials, and after the big success of quantum well structures for in
... More
Source: Proceedings of SPIE. 2021. Vol. 12086 : XV International Conference on Pulsed Lasers and Laser Applications, 2021, Tomsk, Russian Federation. P. 120861X-1-120861X-7
Type: статьи в журналах
Date: 2021
Description:
This paper reports results of a theoretical study of multilayer Ge/Si infrared photodetector parameters calculations, these calculations are of certain characteristics of detectors such as: dark curre
... More
Source: Актуальные проблемы радиофизики АПР-2021 : 9-я Международная научно-практическая конференция, 20-22 октября 2021 года, г. Томск : сборник трудов конференции. Томск, 2021. С. 223-224
Type: статьи в сборниках
Date: 2021
Description:
The work discusses multilayer infrared photodetectors with quantum dots of germanium on silicon. It compares the theoretical calculations results of the dark current density of multilayer photodetecto
... More
Source: Известия высших учебных заведений. Физика. 2021. Т. 64, № 12. С. 166-171
Type: статьи в журналах
Date: 2021
Description:
Разработаны нанокомпозиты на основе ПММА и квантовых точек СdSe, CdSe/CdS. Квантовые точки (КТ) CdSe, CdSe/CdS были получены методом осаждения в различных средах с размерами от 2.0 до 4.0 нм. Диапазон
... More
Source: Russian physics journal. 2020. Vol. 63, № 2. P. 296-302
Type: статьи в журналах
Date: 2020
Description:
Epitaxial growth of germanium quantum dots on an oxidized silicon surface is considered. A kinetic model of
Source: Applied nanoscience. 2020. Vol. 10, № 8. P. 2527-2533
Type: статьи в журналах
Date: 2020
Description:
In the present paper, for the first time, the influence of interactions between 3D islands during epitaxial growth of quantum dots by Stranski–Krastanov mechanism is considered in the frames of kineti
... More
Source: Surface and coatings technology. 2020. Vol. 384. P. 125289 (1-5)
Type: статьи в журналах
Date: 2020
Description:
Nowadays, two-dimensional crystals (2D materials) and structures with quantum dots (0D materials) are considered
Source: Surface science. 2020. Vol. 696. P. 121594 (1-9)
Type: статьи в журналах
Date: 2020
Description:
The initial stages of the growth of germanium on the dimer reconstructed Si(100) surface is modelled using
Source: Международный форум "Микроэлектроника – 2020" ; Школа молодых ученых "Микроэлектроника – 2020" ; XIII Международная конференция "Кремний – 2020" ; XII Школа молодых ученых и специалистов по актуальным проблемам физики, материаловедения, технологии и диагностики кремния, нанометровых структур и приборов на его основе, Республика Крым, г. Ялта, пгт. Гурзуф, санаторий "Гурзуф Центр", 21–25 сентября 2020 г.. М., 2020. С. 183-185
Type: статьи в сборниках
Date: 2020
Description:
В данной работе методом дифракции быстрых электронов определены зависимости величины упругих напряжений от толщины осажденного материала при росте квантовых точек германия на кремнии. Показано, что от
... More
Source: Международный форум "Микроэлектроника – 2020" ; Школа молодых ученых "Микроэлектроника – 2020" ; XIII Международная конференция "Кремний – 2020" ; XII Школа молодых ученых и специалистов по актуальным проблемам физики, материаловедения, технологии и диагностики кремния, нанометровых структур и приборов на его основе, Республика Крым, г. Ялта, пгт. Гурзуф, санаторий "Гурзуф Центр", 21–25 сентября 2020 г.. М., 2020. С. 158-160
Type: статьи в сборниках
Date: 2020
Description:
В данной работе проводится всестороннее рассмотрение влияния зависимости упругих напряжений и поверхностных энергий от толщины осажденного материала на эпитаксиальное формирование двумерных слоев и кв
... More
Source: Известия высших учебных заведений. Физика. 2020. Т. 63, № 2. С. 104-109
Type: статьи в журналах
Date: 2020
Description:
Рассматривается эпитаксиальный рост квантовых точек германия на окисленной поверхности кремния. Предложена кинетическая модель зарождения и роста трехмерных островков по механизму Фольмера – Вебера в
... More
