Проанализированы экспериментальные данные по плазменному травлению суб-100-нм затворных щелей в транзисторах с высокой подвижностью электронов (HEMT) на основе гетероструктур InAlN/GaN. Рассмотрено влияние параметров процесса плазменного травления на деградацию параметров InAlN/GaN HEMT. Показана возможность формирования затворной щели длиной 70 нм в InAlN/GaN HEMT с помощью реактивного ионного травления в Si3N4 толщиной 105 нм.