Add to Quick Collection
All 3 Results
Showing items 1 - 3 of 3.
Add All Items to Quick Collection
Source: Semiconductors. 2015. Vol. 49, № 3. P. 309-312
Type: статьи в журналах
Date: 2015
Description:
Atomic-force microscopy is used to investigate the distribution of the contact-potential difference (surface potential) in Cd x Hg1 − x Te epitaxial films grown by molecular-beam epitaxy. Modification
... More
Source: 12th International Conference "Gas Discharge Plasmas and Their Applications" GDP 2015, September 6-11, 2015, Tomsk, Russia : Abstracts. Tomsk, 2015. P. 210
Type: статьи в сборниках
Date: 2015
Source: Физика и техника полупроводников. 2015. Т. 49, вып. 3. С. 319-322
Type: статьи в журналах
Date: 2015
Description:
Методами атомно-силовой микроскопии проведено исследование распределения контактной разности потенциалов (поверхностного потенциала) эпитаксиальных пленок CdxHg1-xTe, выращенных методом молекулярно-лу
... More