Электронная библиотека (репозиторий) Томского государственного университета

Add to Quick Collection   All 27 Results

Showing items 16 - 27 of 27.
Sort:
 Add All Items to Quick Collection
Add   Electronic properties of GaSe, InSe, GaS and GaTe layered semiconductors: charge neutrality level and interface barrier heights
Authors: Brudnyi, Valentin N. | Sarkisov, Sergey Yu. | Kosobutsky, Alexey V.
Source: Semiconductor science and technology. 2015. Vol. 30, № 11. P. 115019 (1-9)
Type: статьи в журналах
Date: 2015
Description: Density functional theory calculations have been applied to study the structural and electronic properties of layered epsilon-GaSe, γ-InSe, β-GaS and GaTe compounds. The optimized lattice parameters h ... More
Add   On the charge neutrality level and the electronic properties of interphase boundaries in the layered ε-GaSe semiconductor
Authors: Brudnyi, Valentin N. | Sarkisov, Sergey Yu. | Kosobutsky, Alexey V.
Source: Semiconductors. 2015. Vol. 49, № 10. P. 1307-1310
Type: статьи в журналах
Date: 2015
Description: The height of the (Au, Pd, Pt, Cu, Ag, Sn, In, Al, Mg, Ca, Li, Cs)/GaSe(0001) Schottky barrier as a function of the metal work function and the energy-band offsets in InSe(0001)/GaSe(0001) and GaSe(00 ... More
Add   On the electronic properties of GaSb irradiated with reactor neutrons and its charge neutrality level
Authors: Brudnyi, Valentin N. | Ermakov, V. S. | Kolin, N. G. | Korulin, A. V. | Boiko, V. M.
Source: Semiconductors. 2015. Vol. 49, № 6. P. 763-766
Type: статьи в журналах
Date: 2015
Description: The electronic properties and the limiting position of the Fermi level in p-GaSb crystals irradiated with full-spectrum reactor neutrons at up to a fluence of 8.6 × 1018 cm−2 are studied. It is shown ... More
Add   Structure and electronic properties of hollow-caged C60 fullerene-derived (MN4)nC6(10-n) (M = Zn, Mg, Fe, n=1-6) complexes
Authors: Pomogaev, Vladimir A. | Kuzubov, Alex A. | Artyukhov, Viktor Ya. | Avramov, Pavel V.
Source: International journal of quantum chemistry. 2015. Vol. 115, № 4. P. 239-244
Type: статьи в журналах
Date: 2015
Add   Variation of the character of spin-orbit interaction by Pt intercalation underneath graphene on Ir(111)
Authors: Klimovskikh, Ilya I. | Usachov, Dmitry Yu. | Rybkin, Artem G. | Tsirkin, Stepan S. | Filianina, M. V. | Bokai, K. | Chulkov, Evgueni V. | Shikin, A. M. | Vilkov, Oleg Yu.
Source: Physical Review B. 2015. Vol. 92, № 16. P. 165402-1-165402-7
Type: статьи в журналах
Date: 2015
Description: The modification of the graphene spin structure is of interest for novel possibilities of application of graphene in spintronics. The most exciting of them demand not only high value of spin-orbit spl ... More
Add   Уровень зарядовой нейтральности и электронные свойства межфазных границ в слоистом полупроводнике ε-GaSe
Authors: Брудный, Валентин Натанович | Саркисов, Сергей Юрьевич | Кособуцкий, Алексей Владимирович
Source: Физика и техника полупроводников. 2015. Т. 49, вып. 10. С. 1351-1354
Type: статьи в журналах
Date: 2015
Add   Synthesis and electronic properties of b-RbNd(MoO4)2
Authors: Bekenev, V. L. | Chimitova, Olga D. | Molokeev, Maxim S. | Bazarov, Bair G. | Bazarova, J. G. | Khyzhun, Oleg Y. | Lim, Chang Sung | Atuchin, Victor V.
Source: Asian journal of chemistry. 2014. Vol. 26, № 5. P. 1284-1286
Type: статьи в журналах
Date: 2014
Add   Электронные свойства p-GaN(Mg), облученного реакторными нейтронами
Authors: Бойко, В. М. | Веревкин, Сергей Сергеевич | Ермаков, В. С. | Колин, Николай Георгиевич | Корулин, Алексей Викторович | Поляков, А. Я. | Брудный, Валентин Натанович
Source: Физика и техника полупроводников. 2014. Т. 48, вып. 7. С. 885-889
Type: статьи в журналах
Date: 2014
Add   Structural and electronic properties of poly(9,9-dialkylfluorene)-based alternating copolymers in solution: An NMR spectroscopy and density functional theory study
Authors: Ramos, M. Luísa | Abreu, P. E. | Charas, Ana | Morgado, Jorge | Scherf, Ullrich | Minaev, Boris F. | Ågren, Hans | Burrows, Hugh D. | Justino, Licínia L. G.
Source: The Journal of Physical Chemistry C. 2013. Vol. 117, № 35. P. 17969-17982
Type: статьи в журналах
Date: 2013
Add   Электрофизические свойства облученных электронами эпитаксиальных пленок GaN1
Authors: Веревкин, Сергей Сергеевич | Колин, Николай Георгиевич | Корулин, Алексей Викторович | Брудный, Валентин Натанович
Source: Известия высших учебных заведений. Физика. 2012. № 1. С. 47-51
Type: статьи в журналах
Date: 2012
Add   Изучение электронных свойств ионизированных углеродных нанотрубок в модели Хаббарда
Authors: Мурзашев, Аркадий Ислибаевич
Source: Известия высших учебных заведений. Физика. 2010. Т. 53, № 10. С. 47-51
Type: статьи в журналах
Date: 2010
Description: В модели Хаббарда изучаются электронные свойства ионизированной углеродной нанотрубки (УНТ) хиральности (5,5), состоящей из 60 атомов. В рамках такого рассмотрения удается объяснить слипание УНТ и обр ... More
Add   Изучение некоторых электронных свойств неметаллических кристаллов с различной структурой и типом химической связи : Диссертация на соискание ученой степени кандидата физико-математических наук
Authors: Катаев, Сергей Григорьевич
Type: диссертации
Date: 1993

Creator

Date

Subject

Resource Type

^