Предложен способ визуализации процесса оптического пробоя монокристалла ZnGeP2 с использованием метода цифровой голографии. Исследован механизм пробоя монокристалла ZnGeP2 при плотности энергии ~ 0.3-0.6 Дж/см2. Проведена оценка температуры в канале пробоя при его формировании. Совокупность полученных данных позволяет сделать вывод о тепловой природе пробоя кристаллов ZnGeP2 при облучении лазерным излучением с длиной волны ~ 2.1 мкм.