Электронная библиотека (репозиторий) Томского государственного университета
арсенид галлия

Add to Quick Collection   All 5 Results

Showing items 1 - 5 of 5.
  • «
  • ←
  • 1
  • →
  • »
Sort:
 Add All Items to Quick Collection
Add   Исследование характеристик арсенида галлия, компенсированного хромом, как материала для сенсоров рентгеновского излучения
Authors: Шаймерденова, Лейла Калитаевна
Source: Сборник тезисов участников форума "Наука будущего – наука молодых" : III Всероссийский научный форум, 12 сентября - 14 сентября 2017 года, г. Нижний Новгород. М., 2017. С. 391-393
Type: статьи в сборниках
Date: 2017
Add   Влияние обработки поверхности на вольт-амперные характеристики арсенид галлиевых сенсоров рентгеновского излучения
Authors: Шаймерденова, Лейла Калитаевна
Source: Труды XIII Всероссийской конференции студенческих научно-исследовательских инкубаторов, Томск, 17-18 мая 2016 г.. Томск, 2016. С. 38-39
Type: статьи в сборниках
Date: 2016
Add   Исследование распределения эффективности сбора заряда по пластине GaAs:Cr
Authors: Щербаков, Иван Дмитриевич
Source: Труды XIII Всероссийской конференции студенческих научно-исследовательских инкубаторов, Томск, 17-18 мая 2016 г.. Томск, 2016. С. 40-43
Type: статьи в сборниках
Date: 2016
Add   Chromium compensated gallium arsenide detectors for X-ray and γ-ray spectroscopic imaging
Authors: Bell, Steven J. | Duarte, Diana D. | French, M. J. | Schneider, Andreas | Seller, Paul H. | Wilson, Matthew D. | Lozinskaya, A. D. | Novikov, Vladimir A. | Tolbanov, Oleg P. | Tyazhev, Anton V. | Zarubin, A. N. | Veale, Matthew C.
Source: Nuclear instruments and methods in physics research A. 2014. Vol. 752. P. 6-14
Type: статьи в журналах
Date: 2014
Add   Оценка концентрации хрома в высокоомном GaAs:Cr, создаваемом диффузией
Authors: Будницкий, Давыд Львович | Новиков, Владимир Александрович | Толбанов, Олег Петрович | Яскевич, Тамара Михайловна
Source: Известия высших учебных заведений. Физика. 2011. Т. 54, № 2. С. 100-102
Type: статьи в журналах
Date: 2011
Description: Представлены результаты исследований поглощения ИК-излучения в высокоомном GaAs:Cr. Измерения поглощения проведены в интервале энергий фотонов 0,5–1,5 эВ при комнатной температуре. Исследованы три тип ... More
  • «
  • ←
  • 1
  • →
  • »
^