Исследовано влияние термического отжига в аргоне на фотоэлектрические характеристики структур TiO2- n -Si. Пленки оксида титана толщиной 70 нм получали ВЧ-магнетронным напылением на эпитаксиальный кремний с концентрацией доноров N d = 7∙1014 см-3. Показано, что при положительных потенциалах на электроде к диэлектрику (затвор) при воздействии света с λ = 400 нм в структурах без отжига и после отжига при 500 ºС наблюдается фоторезистивный эффект. Рост обратного тока во время излучения начинается при пороговых напряжениях Ut. Его значения зависят от температуры отжига. После выключения света остаточная фотопроводимость наблюдается только в структурах TiO2-Si с пленкой оксида титана, содержащей кристаллиты анатаза.