Add to Quick Collection
All 17 Results
Showing items 1 - 15 of 17.
Add All Items to Quick Collection
Source: Известия высших учебных заведений. Физика. 2021. Т. 64, № 8. С. 122-125
Type: статьи в журналах
Date: 2021
Description:
Исследовано влияние температурных отжигов на диэлектрические свойства кристаллов ZnGeP2 в терагерцовом диапазоне частот с применением импульсной терагерцовой спектроскопии во временной области. Обнару
... More
Authors:
Voytsekhovskiy, Alexander V. |
Izhnin, Igor I. |
Mynbaev, Karim D. |
Nesmelov, Sergey N. |
Dzyadukh, Stanislav M. |
Varavin, Vasilii S. |
Dvoretsky, Sergei A. |
Mikhailov, Nikolay N. |
Yakushev, Maxim V. |
Korotaev, A. G. |
Sidorov, Georgiy Yu.
Source: Surface and coatings technology. 2020. Vol. 392. P. 125760 (1-5)
Type: статьи в журналах
Date: 2020
Description:
Metal–insulator–semiconductor (MIS) structures based on HgCdTe were fabricated after various stages of pn
Authors:
Izhnin, Igor I. |
Mynbaev, Karim D. |
Voytsekhovskiy, Alexander V. |
Nesmelov, Sergey N. |
Dzyadukh, Stanislav M. |
Fitsych, Olena I. |
Varavin, Vasilii S. |
Dvoretsky, Sergei A. |
Mikhailov, Nikolay N. |
Korotaev, A. G. |
Yakushev, Maxim V. |
Bonchyk, A. Yu. |
Savytskyy, Hrygory V. |
Świątek, Zbigniew |
Morgiel, Jerzy
Source: Surface and coatings technology. 2020. Vol. 393. P. 125721 (1-5)
Type: статьи в журналах
Date: 2020
Description:
Results of the Hall-effect studies of surface properties of n–type HgCdTe films modified with arsenic ion implantation
Source: Journal of electronic materials. 2020. Vol. 49, № 5. P. 3202-3208
Type: статьи в журналах
Date: 2020
Description:
Heteroepitaxial n-Hg0.78Cd0.22Te films with near-surface graded-gap layers
Source: Известия высших учебных заведений. Физика. 2020. Т. 63, № 5. С. 154-158
Type: статьи в журналах
Date: 2020
Description:
Исследованы электрические и фотоэлектрические характеристики структур Ga2O3/ n -GaAs с анодными пленками оксида галлия, полученными окислением n -GaAs в гальваностатическом режиме. Пленки оксида галли
... More
Source: Известия высших учебных заведений. Физика. 2017. Т. 60, № 12/2. С. 241-245
Type: статьи в журналах
Date: 2017
Description:
Показано, что проводимость структур Ga2O3- п -GaAs при положительных потенциалах на затворе определяется термоэлектронной эмиссией из GaAs в Ga2O3. При отрицательных смещениях проводимость структур об
... More
Source: Известия высших учебных заведений. Физика. 2017. Т. 60, № 12/2. С. 236-240
Type: статьи в журналах
Date: 2017
Description:
Приведены результаты исследований влияния термического отжига на свойства структур n -GaAs- Ga2O3-Me. Показана связь структурно-фазовых изменений в оксидной пленке с проводимостью образцов на переменн
... More
Source: Semiconductors. 2015. Vol. 49, № 8. P. 1012-1018
Type: статьи в журналах
Date: 2015
Description:
The effects of thermal annealing and exposure to oxygen plasma on the electrical and photoelectric properties of metal-TiO2-Si structures are investigated. The TiO2 films are fabricated by the rf magn
... More
Source: Физика и техника полупроводников. 2014. Т. 48, вып. 7. С. 989-994
Type: статьи в журналах
Date: 2014
Source: Известия высших учебных заведений. Физика. 2013. Т. 56, № 9. С. 11-16
Type: статьи в журналах
Date: 2013
Source: Известия высших учебных заведений. Физика. 2013. Т. 56, № 8/3. С. 153-155
Type: статьи в журналах
Date: 2013
Source: Известия высших учебных заведений. Физика. 2013. Т. 56, № 8/3. С. 147-149
Type: статьи в журналах
Date: 2013
Source: Известия высших учебных заведений. Физика. 2013. Т. 56, № 8/3. С. 181-184
Type: статьи в журналах
Date: 2013
Source: Semiconductors. 2012. Vol. 46, № 8. P. 1003-1007
Type: статьи в журналах
Date: 2012
Source: Физика и техника полупроводников. 2012. Т. 46, вып. 2. С. 278-284
Type: статьи в журналах
Date: 2012