Authors: Novikov, Vadim A. | Bezrodnyy, Dmitriy A. | Voytsekhovskiy, Alexander V. | Dvoretsky, Sergei A. | Mikhailov, Nikolay N. | Grigoryev, Denis V.

Source: Journal of electronic materials. 2017. Vol. 46, № 7. P. 4435-4438

Type: статьи в журналах

Date: 2017

Description: The manufacturing process of wide-band-gap matrix photodetector devices and miniaturization of their individual pixels gave rise to increased demands on the material quality and research methods. In t ... More

Authors: Izhnin, Igor I. | Voytsekhovskiy, Alexander V. | Korotaev, A. G. | Fitsych, O. I. | Pociask-Bialy, Malgorzata | Mynbaev, Karim D.

Source: Opto-electronics review. 2017. Vol. 25, № 2. P. 148-170

Type: статьи в журналах

Date: 2017

Description: Analysis is performed of the contemporary views on the effect of ion etching (ion-beam milling and reactive ion etching) on physical properties of HgCdTe and on the mechanisms of the processes respons ... More

Authors: Войцеховский, Александр Васильевич | Дзядух, Станислав Михайлович | Сидоров, Георгий Юрьевич | Варавин, Василий Семенович | Васильев, Владимир Васильевич | Дворецкий, Сергей Алексеевич | Михайлов, Николай Николаевич (физик) | Якушев, Максим Витальевич | Несмелов, Сергей Николаевич

Source: Известия высших учебных заведений. Физика. 2017. Т. 60, № 12/2. С. 202-205

Type: статьи в журналах

Date: 2017

Description: Использована специальная методика измерений электрофизических характеристик МДП-структур на основе МЛЭ HgCdTe, позволяющая исключить влияние гистерезисных явлений на результаты измерения первой произв ... More