Электронная библиотека (репозиторий) Томского государственного университета

Add to Quick Collection   All 51 Results

Showing items 16 - 30 of 51.
Sort:
 Add All Items to Quick Collection
Source: Proceedings of SPIE. 2015. Vol. 9810 : XII International Conference on Atomic and Molecular Pulsed Lasers, 13–18 September 2015, Tomsk, Russian Federation. P. 98101T-1-98101T-10
Type: статьи в журналах
Date: 2015
Description: Model study of not phase matched and phase matched optical rectification or down-conversion of Ti:Sapphire laser pulses at 950 nm into THz and far-IR range in pure and S-doped GaSe single crystals is ... More
Source: Proceedings of SPIE. 2015. Vol. 9810 : XII International Conference on Atomic and Molecular Pulsed Lasers, 13–18 September 2015, Tomsk, Russian Federation. P. 981012-1-981012-10
Type: статьи в журналах
Date: 2015
Description: Ab-initio study on modification of commerce terahertz spectrometer with time resolution Z-3 (Zomega, USA) by substitution of ZnTe and GaP detectors and LT-GaAs generator for homemade of pure and S-dop ... More
Source: Опто-, наноэлектроника, нанотехнологии и микросистемы : труды 18-й Международной конференции. Ульяновск, 2015. С. 99
Type: статьи в сборниках
Date: 2015
Source: Semiconductors. 2015. Vol. 49, № 10. P. 1307-1310
Type: статьи в журналах
Date: 2015
Description: The height of the (Au, Pd, Pt, Cu, Ag, Sn, In, Al, Mg, Ca, Li, Cs)/GaSe(0001) Schottky barrier as a function of the metal work function and the energy-band offsets in InSe(0001)/GaSe(0001) and GaSe(00 ... More
Source: Proceedings of SPIE. 2015. Vol. 9810 : XII International Conference on Atomic and Molecular Pulsed Lasers, 13–18 September 2015, Tomsk, Russian Federation. P. 98101P-1-98101P-7
Type: статьи в журналах
Date: 2015
Description: Design of top S-doped GaSe growth technology is completed. New methods for characterization of high optical quality crystals are proposed that allowed selection optimally doped crystals. Frequency con ... More
Source: International Siberian Conference on Control and Communications (SIBCON–2015), Russia, Omsk, may 21-23, 2015 : proceedings. Omsk, 2015. P. [1-3]
Type: статьи в сборниках
Date: 2015
Source: Russian physics journal. 2015. Vol. 58, № 8. P. 1181-1185
Type: статьи в журналах
Date: 2015
Description: Thin amorphous SiO2, TiO2, and Ga2O3 films were deposited on the surface of GaSe crystals by thermal and magnetron sputtering. It was found that under different technological conditions, the SiO2 and ... More
Source: Перспективы развития фундаментальных наук : сборник научных трудов XII Международной конференции студентов и молодых ученых, 21-24 апреля 2015 г.. Томск, 2015. С. 428-430
Type: статьи в сборниках
Date: 2015
Source: Известия высших учебных заведений. Физика. 2015. Т. 58, № 8. С. 131-135
Type: статьи в журналах
Date: 2015
Description: Проведено термическое и магнетронное напыление аморфных тонких пленок SiO 2, TiO 2 и Ga 2O 3 на поверхность кристаллов GaSe. Установлено, что при различных технологических условиях слои SiO 2 и TiO 2 ... More
Source: Journal of materials science: materials in electronics. 2014. Vol. 25. P. 1757-1760
Type: статьи в журналах
Date: 2014

Date

^