Электронная библиотека (репозиторий) Томского государственного университета

Add to Quick Collection   All 21 Results

Showing items 1 - 15 of 21.
Sort:
 Add All Items to Quick Collection
Source: Известия высших учебных заведений. Физика. 2020. Т. 63, № 12. С. 37-51
Type: статьи в журналах
Date: 2020
Description: Проанализированы теоретические и экспериментальные данные, определяющие сходство и различие процессов дефектообразования при нейтронном и имитационном ионном облучении. Анализируется роль таких фактор ... More
Source: Materials research express. 2019. Vol. 6, № 7. P. 075912 (1-8)
Type: статьи в журналах
Date: 2019
Description: In this paper experimental results of research of boron ion implantation into Hg1−x Cd x Te epitaxial films of various compositions x are presented. Samples of epitaxial films were grown by the method ... More
Source: Semiconductor science and technology. 2018. Vol. 33, № 6. P. 065009 (1-8)
Type: статьи в журналах
Date: 2018
Description: The results of studying the annealing kinetics of the radiation-induced donor-type defects in boron implanted p-type Hg1−x Cd x Te (MCT) are presented. The annealing kinetics of the radiation donor ce ... More
Source: Russian physics journal. 2018. Vol. 60, № 10. P. 1752-1757
Type: статьи в журналах
Date: 2018
Description: Complex studies of the defect structure of arsenic-implanted (with the energy of 190 keV) Cd x Hg 1–x Te (x = 0.22) films grown by molecular-beam epitaxy are carried out. The investigations were perfo ... More
Source: Russian physics journal. 2018. Vol. 61, № 6. P. 1005-1023
Type: статьи в журналах
Date: 2018
Description: The results of experimental studies of processes of the radiation defect formation under ion implantation of narrow-gap CdxHg1-xTe solid solutions (MCT) are presented. The processes of formation of st ... More
Source: Прикладная физика. 2018. № 4. С. 61-67
Type: статьи в журналах
Date: 2018
Description: Представлены расчеты нагрева кристалла CdxHg1-xTe (КРТ) с x = 0,22 в процессе ионнолучевого травления (ИЛТ) низкоэнергетическими ионами Ar+. Показано, что при хорошем тепловом контакте кристалла и охл ... More
Source: Прикладная физика. 2018. № 4. С. 54-60
Type: статьи в журналах
Date: 2018
Description: Исследованы вольт-фарадные характеристики МДП-структур, полученных на основе эпитаксиальных слоев n-Cd0,24Hg0,76Te, подвергнутых воздействию мягкого рентгеновского излучения. Показано, что в результат ... More
Source: Известия высших учебных заведений. Физика. 2017. Т. 60, № 10. С. 92-97
Type: статьи в журналах
Date: 2017
Description: Проведены комплексные исследования дефектной структуры имплантированных ионами мышьяка (с энергией 190 кэВ) пленок Cd x Hg1- x Te ( x = 0.22), выращенных молекулярно-лучевой эпитаксией. Исследования п ... More
Source: International Siberian Conference on Control and Communications (SIBCON–2015), Russia, Omsk, may 21-23, 2015 : proceedings. Omsk, 2015. P. [1-3]
Type: статьи в сборниках
Date: 2015
Source: Численные методы решения задач теории упругости и пластичности : материалы XXIV Всероссийской конференции (Омск, 2-4 июня 2015 г.). Омск, 2015. С. 111-113
Type: статьи в сборниках
Date: 2015

Date

^