Проводится сравнительный анализ особенностей выращивания методом молекулярно-лучевой эпитаксии квантовых точек германия на поверхности кремния с различной кристаллографической ориентацией: Si(100) и Si(111), в том числе при наличии на поверхности олова в качестве сурфактанта. Рассчитываются изменение свободной энергии, активационный барьер нуклеации, критическая толщина перехода от двумерного к трехмерному росту, а также поверхностная плотность и функция распределения по размерам квантовых точек в этих системах.