Электронная библиотека (репозиторий) Томского государственного университета
кремний

Add to Quick Collection   All 10 Results

Showing items 1 - 10 of 10.
  • «
  • ←
  • 1
  • →
  • »
Sort:
 Add All Items to Quick Collection
Add   Two-dimensional materials of group IVA: Latest advances in epitaxial methods of growth
Authors: Lozovoy, Kirill A. | Dirko, Vladimir V. | Vinarskiy, Vladimir P | Kokhanenko, Andrey P. | Voytsekhovskiy, Alexander V. | Akimenko, Nataliya Yu.
Source: Russian physics journal. 2022. Vol. 64, № 9. P. 1583-1591
Type: статьи в журналах
Date: 2022
Description: Two-dimensional materials have become one of the central research topics of scientists around the world after the production of graphene - a monatomic layer of carbon. Currently, two-dimensional cryst ... More
Add   Двумерные материалы на основе элементов группы IVA: последние достижения в эпитаксиальных методах синтеза
Authors: Лозовой, Кирилл Александрович | Дирко, Владимир Владиславович | Винарский, Владимир Петрович | Коханенко, Андрей Павлович | Войцеховский, Александр Васильевич | Акименко, Наталья Юрьевна
Source: Известия высших учебных заведений. Физика. 2021. Т. 64, № 9. С. 3-10
Type: статьи в журналах
Date: 2021
Description: Двумерные материалы стали одной из центральных тем исследования ученых по всему миру после получения графена – моноатомного слоя углерода. В настоящее время двумерные кристаллы рассматриваются в качес ... More
Add   Comparative analysis of germanium-silicon quantum dots formation on Si(100), Si(111) and Sn/Si(100) surfaces
Authors: Lozovoy, Kirill A. | Kokhanenko, Andrey P. | Voytsekhovskiy, Alexander V.
Source: Nanotechnology. 2018. Vol. 29, № 5. P. 054002 (1-7)
Type: статьи в журналах
Date: 2018
Description: In this paper theoretical modeling of formation and growth of germanium–silicon quantum dots in the method of molecular beam epitaxy (MBE) on different surfaces is carried out. Silicon substrates with ... More
Add   Comparison of the growth processes of germanium quantum dots on the Si (100) and Si(111) surfaces
Authors: Kokhanenko, Andrey P. | Lozovoy, Kirill A. | Voytsekhovskiy, Alexander V.
Source: Russian physics journal. 2018. Vol. 60, № 11. P. 1871-1879
Type: статьи в журналах
Date: 2018
Description: A comparative analysis is carried out of the growth peculiarities under molecular-beam epitaxy of germanium quantum dots on the silicon surfaces with different crystallographic orientations Si(100) an ... More
Add   Влияние легирования матрицы на трибологические свойства спеченных (Al-Me)-40Sn композитов
Authors: Скоренцев, Александр Леонидович | Русин, Николай Мартемьянович
Source: Международная конференция "Перспективные материалы с иерархической структурой для новых технологий и надежных конструкций" ; X Международная конференция "Химия нефти и газа" : тезисы докладов. Томск, 2018. С. 143-144
Type: статьи в сборниках
Date: 2018
Add   Влияние структуры на трибомеханические свойства спеченных композитов (Al-12Si)-Sn
Authors: Рединский, Никита Андреевич | Скоренцев, Александр Леонидович
Source: Перспективы развития фундаментальных наук : сборник научных трудов XV Международной конференции студентов, аспирантов и молодых ученых, 24–27 апреля 2018 г.. Томск, 2018. Т. 2 : Химия. С. 276-278
Type: статьи в сборниках
Date: 2018
Description: The structure, mechanical and tribological properties of sintered (Al-12Si)-xSn composites were investigated in the present study. The composites were obtained by sintering of the briquettes made of a ... More
Add   Расчет критической толщины перехода по Странскому-Крастанову в материальной системе GeSi/Sn/Si
Authors: Лозовой, Кирилл Александрович | Коханенко, Андрей Павлович | Войцеховский, Александр Васильевич
Source: Актуальные проблемы радиофизики : VII Международная научно-практическая конференция, г. Томск, 18-22 сентября 2017 г. : сборник трудов. Томск, 2017. С. 257-260
Type: статьи в сборниках
Date: 2017
Description: В работе рассматривается рост по механизму Странского-Крастанова эпитаксиальных слоев Gех;(Si1-х. на поверхности Si(lOO) с предварительно нанесенным слоем олова. Для расчета критической толщины перехо ... More
Add   Сравнение процессов роста квантовых точек германия на поверхностях Si(100) и Si(111)
Authors: Коханенко, Андрей Павлович | Лозовой, Кирилл Александрович | Войцеховский, Александр Васильевич
Source: Известия высших учебных заведений. Физика. 2017. Т. 60, № 11. С. 20-27
Type: статьи в журналах
Date: 2017
Description: Проводится сравнительный анализ особенностей выращивания методом молекулярно-лучевой эпитаксии квантовых точек германия на поверхности кремния с различной кристаллографической ориентацией: Si(100) и S ... More
Add   Electronic band structure of a Tl/Sn atomic sandwich on Si(111)
Authors: Gruznev, Dimitry V. | Matetskiy, Andrey V. | Tupchaya, Alexandra Y. | Alekseev, A. A. | Hsing, Cheng-Rong | Wei, Ching-Ming | Eremeev, Sergey V. | Zotov, Andrey V. | Saranin, Alexander A. | Bondarenko, Leonid V.
Source: Physical Review B. 2015. Vol. 91, № 3. P. 035421-1-035421-7
Type: статьи в журналах
Date: 2015
Description: A two-dimensional compound made of one monolayer of Tl and one monolayer of Sn on Si(111) has been found to have a sandwichlike structure in which the Sn layer (having the milk-stool arrangement) resi ... More
Add   Применение ионообменных смол при химико-спектральном методе анализа высокочистых материалов : диссертация на соискание ученой степени кандидата химических наук.
Authors: Отмахова, Зинаида Ильинична | Катаев, Григорий Алексеевич (научный руководитель) | Чащина, Ольга Васильевна (научный руководитель)
Type: диссертации
Date: 1967
  • «
  • ←
  • 1
  • →
  • »
^