Проведено термическое и магнетронное напыление аморфных тонких пленок SiO 2, TiO 2 и Ga 2O 3 на поверхность кристаллов GaSe. Установлено, что при различных технологических условиях слои SiO 2 и TiO 2 на поверхности GaSe растрескиваются, в то время как Ga 2O 3 образует совершенные пленки. Проведено сравнение спектров пропускания и эффективности генерации терагерцовых импульсов в структурах SiO 2-GaSe, TiO 2-GaSe и Ga 2O 3-GaSe и кристаллах GaSe:S 0.9 мас. % и GaSe:S 7 мас. %. Установлено, что с ростом концентрации серы в кристаллах GaSe:S эффективность генерации терагерцового излучения при оптическом выпрямлении фемтосекундных лазерных импульсов уменьшается. Среди исследованных пленок на поверхности GaSe наименьшее влияние на эффективность генерации оказывает пленка SiO 2.