Электронная библиотека (репозиторий) Томского государственного университета

Add to Quick Collection   All 36 Results

Showing items 1 - 15 of 36.
Sort:
 Add All Items to Quick Collection
Source: Известия высших учебных заведений. Физика. 2019. Т. 62, № 12. С. 69-73
Type: статьи в журналах
Date: 2019
Description: Проанализированы энергетические спектры ростовых ловушек в эпитаксиальных слоях нелегированного и легированного нитрида галлия, выращенного в различных технологических условиях.
Source: Известия высших учебных заведений. Физика. 2018. Т. 61, № 8. С. 73-78
Type: статьи в журналах
Date: 2018
Description: Проведен анализ экспериментальных данных по исследованию омических контактов на основе однослойных и многослойных металлизаций к GaN и твердым растворам (In, Al, Ga)N. Экспериментально исследованы мет ... More
Source: Физика и техника полупроводников. 2017. Т. 51, вып. 2. С. 240-246
Type: статьи в журналах
Date: 2017
Description: В работе исследованы зависимости квантового выхода от температуры и уровня возбуждения для светодиодов на основе множественных квантовых ям InGaN/GaN. Эксперимент проводился для двух режимов возбужден ... More
Source: Russian physics journal. 2015. Vol. 58, № 2. P. 192-197
Type: статьи в журналах
Date: 2015
Description: The results of experiments on the generation of terahertz radiation in the nitride LED structures at optical excitation by ultrashort laser pulses are presented. The dependences of the emission spectr ... More
Source: Russian physics journal. 2015. Vol. 57, № 9. P. 1246-1250
Type: статьи в журналах
Date: 2015
Description: The results of experimental studies of forward current–voltage characteristics of blue LEDs with an active region consisting of the multiple InGaN/GaN quantum wells are presented. A model explaining t ... More
Source: Russian physics journal. 2015. Vol. 57, № 11. P. 1604-1608
Type: статьи в журналах
Date: 2015
Description: The results of studies of blue LED InGaN/GaN heterostructures with a short-period InGaN/GaN superlattice in front of an active region of the structure grown on flat and patterned Al2O3 substrates are ... More
Source: Physica status solidi A. 2015. Vol. 212, № 5. P. 930-934
Type: статьи в журналах
Date: 2015
Description: The results of experimental investigation of forward current-voltage characteristics of InGaN/GaN multiple quantum well light-emitting diodes are presented. A new model for explaining the complex curr ... More
Source: Physica status solidi B. 2015. Vol. 252, № 5. P. 946-951
Type: статьи в журналах
Date: 2015
Description: In this paper the results of experiments on terahertz generation from nitride light-emitting diode heterostructures under twophoton excitation by femtosecond laser pulses are reported. Dependencies of ... More
Source: Russian physics journal. 2015. Vol. 58, № 5. P. 641-645
Type: статьи в журналах
Date: 2015
Description: Temperature dependence of quantum efficiency of blue LED structures based on multiple InGaN/GaN quantum wells is studied at different forward currents. At high current densities, an increase in the qu ... More
Source: Известия высших учебных заведений. Физика. 2015. Т. 58, № 10/3. С. 240-242
Type: статьи в журналах
Date: 2015
Description: Enhancing the light extraction efficiency is an important problem in the manufacturing of GaN-based LEDs. Many methods have been carried out to increase the external efficiency, including roughening t ... More
Source: Известия высших учебных заведений. Физика. 2015. Т. 58, № 8/2. С. 271-273
Type: статьи в журналах
Date: 2015
Source: Известия высших учебных заведений. Физика. 2015. Т. 58, № 8/2. С. 135-137
Type: статьи в журналах
Date: 2015
Description: Представлены результаты анализа падения квантовой эффективности в светодиодных структурах на основе InGaN/GaN при режимах фото- и электролюминесценции. Показано, что падение эффективности при комнатно ... More
Source: Известия высших учебных заведений. Физика. 2015. Т. 58, № 5. С. 53-56
Type: статьи в журналах
Date: 2015
Description: Представлены результаты исследования температурной зависимости квантового выхода светодиодных

Date

^