Электронная библиотека (репозиторий) Томского государственного университета
статьи в журналах

Add to Quick Collection   All 168 Results

Showing items 1 - 15 of 168.
Sort:
 Add All Items to Quick Collection
Add   Comprehensive experimental study of NBνN barrier structures based on n-HgCdTe MBE for detection in MWIR and LWIR spectra
Authors: Voytsekhovskiy, Alexander V. | Dzyadukh, Stanislav M. | Gorn, Dmitriy Igorevich | Dvoretsky, Sergei A. | Mikhailov, Nikolay N. | Sidorov, Georgiy Yu. | Yakushev, Maxim V.
Source: Physica scripta. 2023. Vol. 98, № 6. P. 065907
Type: статьи в журналах
Date: 2023
Description: This work is devoted to a comprehensive experimental study of the electrical and photoelectric characteristics of barrier photosensitive structures in the NBνN configuration based on n-HgCdTe (MCT). S ... More
Add   Experimental study of NBνN barrier structures based on MBE n-HgCdTe for MWIR and LWIR photodetectors
Authors: Voytsekhovskiy, Alexander V. | Dzyadukh, Stanislav M. | Gorn, Dmitriy Igorevich | Dvoretsky, Sergei A. | Mikhailov, Nikolay N. | Sidorov, Georgiy Yu. | Yakushev, Maxim V.
Source: Journal of communications technology and electronics. 2023. Vol. 68, № 3. P. 334-337
Type: статьи в журналах
Date: 2023
Description: The study is devoted to an experimental analysis of the electrical and photoelectric characteristics of barrier photosensitive structures in the NBνN configuration based on n-HgCdTe. Seven different t ... More
Add   Peculiarities of the 7 × 7 to 5 × 5 superstructure transition during epitaxial growth of germanium on silicon (111) surface
Authors: Dirko, Vladimir V. | Lozovoy, Kirill A. | Kokhanenko, Andrey P. | Kukenov, Olzhas I. | Korotaev, Alexander G. | Voytsekhovskiy, Alexander V.
Source: Nanomaterials. 2023. Vol. 13, № 2. P. 231 (1-12)
Type: статьи в журналах
Date: 2023
Description: This paper presents the results of studying the processes of epitaxial growth of germanium on silicon with crystallographic orientation (111) in a wide temperature range. The temperature dependences o ... More
Add   Structural properties and energy spectrum of novel GaSb/AlP self-assembled quantum dots
Authors: Abramkin, Demid S. | Petrushkov, Mikhail O. | Preobrazhenskii, Valery V. | Bogomolov, Dmitrii B. | Emelyanov, Eugeny A. | Yesin, Michail Yu. | Vasev, Andrey V. | Bloshkin, Aleksei A. | Koptev, Eugeny S. | Putyato, Mikhail A. | Atuchin, Victor V.
Source: Nanomaterials. 2023. Vol. 13, № 5. P. 910 (1-20)
Type: статьи в журналах
Date: 2023
Description: In this work, the formation, structural properties, and energy spectrum of novel self-assembled GaSb/AlP quantum dots (SAQDs) were studied by experimental methods. The growth conditions for the SAQDs’ ... More
Add   Влияние различных методов отжига на инфракрасную фотолюминесценцию наногетероструктур GeSiSn/Ge/Si с множественными квантовыми ямами
Authors: Коляда, Дмитрий Владимирович | Фирсов, Дмитрий Дмитриевич | Тимофеев, Вячеслав Алексеевич | Машанов, Владимир Иванович | Скворцов, Илья Владимирович | Есин, Михаил Юрьевич | Петрушков, Михаил Олегович | Комков, Олег Сергеевич
Source: Известия высших учебных заведений. Физика. 2023. Т. 66, № 5. С. 60-66
Type: статьи в журналах
Date: 2023
Description: Исследованы наногетероструктуры с множественными квантовыми ямами Ge0.84Si0.076Sn0.084/Ge/Si, выращенные методом молекулярно-лучевой эпитаксии на кремниевых подложках, включая структуры с Ge квантовым ... More
Add   Двумерные материалы на основе элементов групп VA и VIA: методы получения и перспективы использования
Authors: Лозовой, Кирилл Александрович | Дирко, Владимир Владиславович | Коханенко, Андрей Павлович | Кукенов, Олжас Игоревич | Соколов, Арсений Сергеевич | Акименко, Наталья Юрьевна | Хомякова, Кристина Игоревна | Диб, Хазем | Войцеховский, Александр Васильевич
Source: Известия высших учебных заведений. Физика. 2023. Т. 66, № 8. С. 80-90
Type: статьи в журналах
Date: 2023
Description: Открытие и экспериментальное получение графена привлекло значительное внимание к изучению других новых одноэлементных двумерных материалов (трансграфенов) групп IIIA–VIA периодической системы. В данно ... More
Add   Двумерные материалы на основе элементов группы IIIA: развитие эпитаксиальных методов синтеза
Authors: Лозовой, Кирилл Александрович | Дирко, Владимир Владиславович | Коханенко, Андрей Павлович | Кукенов, Олжас Игоревич | Соколов, Арсений Сергеевич | Акименко, Наталья Юрьевна | Войцеховский, Александр Васильевич
Source: Известия высших учебных заведений. Физика. 2023. Т. 66, № 7. С. 41-50
Type: статьи в журналах
Date: 2023
Description: Рассмотрены двумерные аллотропные модификации одиночных элементов III группы: борофена (B), алюминена (Al), галленена (Ga), индиена (In) и таллена (Tl). Акцент сделан на их структурные параметры и тех ... More
Add   Моделирование и оптимизация параметров слоев униполярных фоточувствительных nBn-структур на основе МЛЭ n-HgCdTe для детектирования в MWIR диапазоне
Authors: Войцеховский, Александр Васильевич | Григорьев, Денис Валерьевич | Дзядух, Станислав Михайлович | Горн, Дмитрий Игоревич
Source: Известия высших учебных заведений. Физика. 2023. Т. 66, № 10. С. 44-53
Type: статьи в журналах
Date: 2023
Description: Определены оптимальные параметры фоточувствительной униполярной барьерной структуры, которая обладает фоточувствительностью в диапазоне 1−3 мкм, посредством расчета зависимостей максимальной обнаружит ... More
Add   Сближение ступеней на поверхности Si(100): эксперимент и моделирование
Authors: Эрвье, Юрий Юрьевич | Есин, Михаил Юрьевич | Дерябин, Александр Сергеевич | Колесников, Алексей Викторович | Никифоров, Александр Иванович
Source: Известия высших учебных заведений. Физика. 2023. Т. 66, № 4. С. 85-92
Type: статьи в журналах
Date: 2023
Description: Методом дифракции быстрых электронов (ДБЭ) исследована эволюция вицинальной поверхности Si(100) при эпитаксиальном росте в системе молекулярно-лучевой эпитаксии в широких диапазонах изменения температ ... More
Add   Численное моделирование униполярных барьерных фоточувствительных структур на основе МЛЭ n-HgCdTe
Authors: Войцеховский, Александр Васильевич | Григорьев, Денис Валерьевич | Дзядух, Станислав Михайлович | Горн, Дмитрий Игоревич | Михайлов, Николай Николаевич (физик) | Дворецкий, Сергей Алексеевич
Source: Известия высших учебных заведений. Физика. 2023. Т. 66, № 9. С. 5-16
Type: статьи в журналах
Date: 2023
Description: Представлены описание методики и результаты моделирования энергетической диаграммы, а также электрофизических и фотоэлектрических характеристик униполярных барьерных структур на основе гетероэпитаксиа ... More
Add   Admittance of barrier nanostructures based on MBE HgCdTe
Authors: Izhnin, Igor I. | Voytsekhovskiy, Alexander V. | Nesmelov, Sergey N. | Dzyadukh, Stanislav M. | Dvoretsky, Sergei A. | Mikhailov, Nikolay N. | Sidorov, Georgiy Yu. | Yakushev, Maxim V.
Source: Applied nanoscience. 2022. Vol. 12, № 3. P. 403-409
Type: статьи в журналах
Date: 2022
Description: Mid- and long-wave infrared nBn structures based on HgCdTe grown by molecular beam epitaxy (MBE) on GaAs (013) substrates were fabricated. For mid-wave nBn structures, the composition in the absorbing ... More
Add   Diffusion limitation of dark current in the nBn structures based on the MBE HgCdTe
Authors: Voytsekhovskiy, Alexander V. | Nesmelov, Sergey N. | Dzyadukh, Stanislav M. | Dvoretsky, Sergei A. | Mikhailov, Nikolay N. | Sidorov, Georgiy Yu. | Yakushev, Maxim V.
Source: Journal of communications technology and electronics. 2022. Vol. 67, № 3. P. 308-312
Type: статьи в журналах
Date: 2022
Description: Dark currents in medium-wave nBn structures based on HgCdTe grown with the aid of molecular beam epitaxy on the (013) GaAs substrates are studied. The passivation of the surface of the side walls of t ... More
Add   Dislocation filter based on LT-GaAs layers for monolithic GaAs/Si integration
Authors: Petrushkov, Mikhail O. | Abramkin, Demid S. | Emelyanov, Eugeny A. | Putyato, Mikhail A. | Komkov, Oleg S. | Firsov, Dmitrii D. | Vasev, Andrey V. | Yesin, Michail Yu. | Bakarov, Askhat K. | Loshkarev, Ivan D. | Gutakovskii, Anton K. | Atuchin, Victor V. | Preobrazhenskii, Valery V.
Source: Nanomaterials. 2022. Vol. 12, № 24. P. 4449 (1-19)
Type: статьи в журналах
Date: 2022
Description: The use of low-temperature (LT) GaAs layers as dislocation filters in GaAs/Si heterostructures (HSs) was investigated in this study. The effects of intermediate LT-GaAs layers and of the post-growth a ... More
Add   High-resolution RHEED analysis of dynamics of low-temperature superstructure transitions in Ge/Si(001) epitaxial system
Authors: Dirko, Vladimir V. | Lozovoy, Kirill A. | Kokhanenko, Andrey P. | Voytsekhovskiy, Alexander V.
Source: Nanotechnology. 2022. Vol. 33, № 11. P. 115603 (1-8)
Type: статьи в журналах
Date: 2022
Description: In this paper, we analyze superstructural transitions during epitaxial growth of two-dimensional layers and the formation of quantum dots by the Stranski–Krastanov mechanism in elastically stressed sy ... More
Add   Single‑photon avalanche diode detectors based on group IV materials
Authors: Izhnin, Igor I. | Lozovoy, Kirill A. | Kokhanenko, Andrey P. | Khomyakova, Kristina I. | Douhan, Rahaf M. H. | Dirko, Vladimir V. | Voytsekhovskiy, Alexander V. | Fitsych, Olena I. | Akimenko, Nataliya Yu.
Source: Applied nanoscience. 2022. Vol. 12, № 3. P. 253-263
Type: статьи в журналах
Date: 2022
Description: Today there are several types of photodetectors that can cope with the task of detecting a single photon, however, avalanche photodiodes are most widely used for applications in fiber-optic communicat ... More

Creator

Date

Subject

^