Add to Quick Collection
All 34 Results
Showing items 1 - 15 of 34.
Add All Items to Quick Collection
Source: Nanomaterials. 2023. Vol. 13, № 2. P. 231 (1-12)
Type: статьи в журналах
Date: 2023
Description:
This paper presents the results of studying the processes of epitaxial growth of germanium on silicon with crystallographic orientation (111) in a wide temperature range. The temperature dependences o
... More
Source: Актуальные проблемы радиофизики АПР-2023 : 10-я Международная научно-практическая конференция, 26-29 сентября 2023 года, г. Томск : сборник трудов конференции. Томск, 2023. С. 284-285
Type: статьи в сборниках
Date: 2023
Source: Applied nanoscience. 2022. Vol. 12, № 3. P. 253-263
Type: статьи в журналах
Date: 2022
Description:
Today there are several types of photodetectors that can cope with the task of detecting a single photon, however, avalanche photodiodes are most widely used for applications in fiber-optic communicat
... More
Source: Актуальные проблемы радиофизики АПР-2021 : 9-я Международная научно-практическая конференция, 20-22 октября 2021 года, г. Томск : сборник трудов конференции. Томск, 2021. С. 232-233
Type: статьи в сборниках
Date: 2021
Source: Актуальные проблемы радиофизики АПР-2021 : 9-я Международная научно-практическая конференция, 20-22 октября 2021 года, г. Томск : сборник трудов конференции. Томск, 2021. С. 243
Type: статьи в сборниках
Date: 2021
Source: Известия высших учебных заведений. Физика. 2021. Т. 64, № 9. С. 3-10
Type: статьи в журналах
Date: 2021
Description:
Двумерные материалы стали одной из центральных тем исследования ученых по всему миру после получения графена – моноатомного слоя углерода. В настоящее время двумерные кристаллы рассматриваются в качес
... More
Source: Russian physics journal. 2020. Vol. 63, № 2. P. 296-302
Type: статьи в журналах
Date: 2020
Description:
Epitaxial growth of germanium quantum dots on an oxidized silicon surface is considered. A kinetic model of
Source: Международный форум "Микроэлектроника – 2020" ; Школа молодых ученых "Микроэлектроника – 2020" ; XIII Международная конференция "Кремний – 2020" ; XII Школа молодых ученых и специалистов по актуальным проблемам физики, материаловедения, технологии и диагностики кремния, нанометровых структур и приборов на его основе, Республика Крым, г. Ялта, пгт. Гурзуф, санаторий "Гурзуф Центр", 21–25 сентября 2020 г.. М., 2020. С. 183-185
Type: статьи в сборниках
Date: 2020
Description:
В данной работе методом дифракции быстрых электронов определены зависимости величины упругих напряжений от толщины осажденного материала при росте квантовых точек германия на кремнии. Показано, что от
... More
Source: Международный форум "Микроэлектроника – 2020" ; Школа молодых ученых "Микроэлектроника – 2020" ; XIII Международная конференция "Кремний – 2020" ; XII Школа молодых ученых и специалистов по актуальным проблемам физики, материаловедения, технологии и диагностики кремния, нанометровых структур и приборов на его основе, Республика Крым, г. Ялта, пгт. Гурзуф, санаторий "Гурзуф Центр", 21–25 сентября 2020 г.. М., 2020. С. 158-160
Type: статьи в сборниках
Date: 2020
Description:
В данной работе проводится всестороннее рассмотрение влияния зависимости упругих напряжений и поверхностных энергий от толщины осажденного материала на эпитаксиальное формирование двумерных слоев и кв
... More
Source: Известия высших учебных заведений. Физика. 2020. Т. 63, № 2. С. 104-109
Type: статьи в журналах
Date: 2020
Description:
Рассматривается эпитаксиальный рост квантовых точек германия на окисленной поверхности кремния. Предложена кинетическая модель зарождения и роста трехмерных островков по механизму Фольмера – Вебера в
... More
Source: Russian physics journal. 2018. Vol. 60, № 11. P. 1871-1879
Type: статьи в журналах
Date: 2018
Description:
A comparative analysis is carried out of the growth peculiarities under molecular-beam epitaxy of germanium quantum dots on the silicon surfaces with different crystallographic orientations Si(100) an
... More
Source: Surface science. 2018. Vol. 669. P. 45-49
Type: статьи в журналах
Date: 2018
Description:
Nowadays using of tin as one of the deposited materials in GeSi/Sn/Si, GeSn/Si and GeSiSn/Si material systems is one of the most topical problems. These materials are very promising for various applic
... More
Source: Труды Четырнадцатой Всероссийской конференции студенческих научно-исследовательских инкубаторов, Томск, 17-18 мая 2017 г.. Томск, 2017. С. 46-50
Type: статьи в сборниках
Date: 2017
Source: Сборник тезисов участников форума "Наука будущего – наука молодых" : III Всероссийский научный форум, 12 сентября - 14 сентября 2017 года, г. Нижний Новгород. М., 2017. С. 218-219
Type: статьи в сборниках
Date: 2017
Source: Актуальные проблемы радиофизики : VII Международная научно-практическая конференция, г. Томск, 18-22 сентября 2017 г. : сборник трудов. Томск, 2017. С. 257-260
Type: статьи в сборниках
Date: 2017
Description:
В работе рассматривается рост по механизму Странского-Крастанова эпитаксиальных слоев Gех;(Si1-х. на поверхности Si(lOO) с предварительно нанесенным слоем олова. Для расчета критической толщины перехо
... More
