Электронная библиотека (репозиторий) Томского государственного университета

Add to Quick Collection   All 106 Results

Showing items 1 - 15 of 106.
Sort:
 Add All Items to Quick Collection
Source: Известия высших учебных заведений. Физика. 2021. Т. 64, № 9. С. 3-10
Type: статьи в журналах
Date: 2021
Description: Двумерные материалы стали одной из центральных тем исследования ученых по всему миру после получения графена – моноатомного слоя углерода. В настоящее время двумерные кристаллы рассматриваются в качес ... More
Source: Applied surface science. 2020. Vol. 501. P. 144253 (1-7)
Type: статьи в журналах
Date: 2020
Description: So-called metal-induced silicon reconstructions (i.e., metal films of monolayer or submonolayer thickness epitaxially grown on single-crystal silicon substrates in ultra-high vacuum) represent a speci ... More
Source: Russian physics journal. 2020. Vol. 63, № 2. P. 296-302
Type: статьи в журналах
Date: 2020
Description: Epitaxial growth of germanium quantum dots on an oxidized silicon surface is considered. A kinetic model of
Source: Международная конференция "Физическая мезомеханика. Материалы с многоуровневой иерархически организованной структурой и интеллектуальные производственные технологии", посвященная 90-летию со дня рождения основателя и первого директора ИФПМ СО РАН академика Виктора Евгеньевича Панина в рамках Международного междисциплинарного симпозиума "Иерархические материалы: разработка и приложения для новых технологий и надежных конструкций", 5-9 октября 2020 года, Томск, Россия : тезисы докладов. Томск, 2020. С. 328-329
Type: статьи в сборниках
Date: 2020
Source: Международный форум "Микроэлектроника – 2020" ; Школа молодых ученых "Микроэлектроника – 2020" ; XIII Международная конференция "Кремний – 2020" ; XII Школа молодых ученых и специалистов по актуальным проблемам физики, материаловедения, технологии и диагностики кремния, нанометровых структур и приборов на его основе, Республика Крым, г. Ялта, пгт. Гурзуф, санаторий "Гурзуф Центр", 21–25 сентября 2020 г.. М., 2020. С. 183-185
Type: статьи в сборниках
Date: 2020
Description: В данной работе методом дифракции быстрых электронов определены зависимости величины упругих напряжений от толщины осажденного материала при росте квантовых точек германия на кремнии. Показано, что от ... More
Source: Международный форум "Микроэлектроника – 2020" ; Школа молодых ученых "Микроэлектроника – 2020" ; XIII Международная конференция "Кремний – 2020" ; XII Школа молодых ученых и специалистов по актуальным проблемам физики, материаловедения, технологии и диагностики кремния, нанометровых структур и приборов на его основе, Республика Крым, г. Ялта, пгт. Гурзуф, санаторий "Гурзуф Центр", 21–25 сентября 2020 г.. М., 2020. С. 158-160
Type: статьи в сборниках
Date: 2020
Description: В данной работе проводится всестороннее рассмотрение влияния зависимости упругих напряжений и поверхностных энергий от толщины осажденного материала на эпитаксиальное формирование двумерных слоев и кв ... More
Source: Известия высших учебных заведений. Физика. 2020. Т. 63, № 6. С. 3-7
Type: статьи в журналах
Date: 2020
Description: Предлагается модель движения элементарных ступеней на двухдоменной поверхности кремния (100) при кристаллизации из молекулярного пучка. Модель учитывает возможность перехода адатома на соседнюю террас ... More
Source: Известия высших учебных заведений. Физика. 2020. Т. 63, № 2. С. 104-109
Type: статьи в журналах
Date: 2020
Description: Рассматривается эпитаксиальный рост квантовых точек германия на окисленной поверхности кремния. Предложена кинетическая модель зарождения и роста трехмерных островков по механизму Фольмера – Вебера в ... More
Source: Известия высших учебных заведений. Физика. 2019. Т. 62, № 11. С. 68-74
Type: статьи в журналах
Date: 2019
Description: Проведено описание экспериментальных работ по испарению кремния в вакуумно-дуговом разряде в непрерывном режиме при наложении внешнего арочного магнитного поля. Приведены вольт-амперные характеристики ... More
Source: International Workshop "Multiscale Biomechanics and Tribology of Inorganic and Organic Systems" ; Международная конференция "Перспективные материалы с иерархической структурой для новых технологий и надежных конструкций" ; VIII Всероссийская научно-практическая конференция с международным участием, посвященная 50-летию основания Института химии нефти "Добыча, подготовка, транспорт нефти и газа" : тезисы докладов. Томск, 2019. С. 249-250
Type: статьи в сборниках
Date: 2019
Source: International Workshop "Multiscale Biomechanics and Tribology of Inorganic and Organic Systems" ; Международная конференция "Перспективные материалы с иерархической структурой для новых технологий и надежных конструкций" ; VIII Всероссийская научно-практическая конференция с международным участием, посвященная 50-летию основания Института химии нефти "Добыча, подготовка, транспорт нефти и газа" : тезисы докладов. Томск, 2019. С. 425
Type: статьи в сборниках
Date: 2019
Source: Journal of physics: Condensed matter. 2018. Vol. 30, № 2. P. 025002 (1-8)
Type: статьи в журналах
Date: 2018
Description: Formation of the highly-ordered √7×√7-periodicity 2D compound has been detected in the (Tl, Au)/Si(111) system as a result of Au deposition onto the Tl/Si(111) surface and its composition, structure a ... More
Source: Nanotechnology. 2018. Vol. 29, № 5. P. 054002 (1-7)
Type: статьи в журналах
Date: 2018
Description: In this paper theoretical modeling of formation and growth of germanium–silicon quantum dots in the method of molecular beam epitaxy (MBE) on different surfaces is carried out. Silicon substrates with ... More
Source: Russian physics journal. 2018. Vol. 60, № 11. P. 1871-1879
Type: статьи в журналах
Date: 2018
Description: A comparative analysis is carried out of the growth peculiarities under molecular-beam epitaxy of germanium quantum dots on the silicon surfaces with different crystallographic orientations Si(100) an ... More
Source: Surface science. 2018. Vol. 669. P. 45-49
Type: статьи в журналах
Date: 2018
Description: Nowadays using of tin as one of the deposited materials in GeSi/Sn/Si, GeSn/Si and GeSiSn/Si material systems is one of the most topical problems. These materials are very promising for various applic ... More

Date

^