Электронная библиотека (репозиторий) Томского государственного университета
2016

Add to Quick Collection   All 3 Results

Showing items 1 - 3 of 3.
  • «
  • ←
  • 1
  • →
  • »
Sort:
 Add All Items to Quick Collection
Add   Electro-physical characteristics of MIS structures with HgTe-based single quantum wells for optoelectronics devices
Authors: Dzyadukh, Stanislav M. | Voytsekhovskiy, Alexander V. | Gorn, Dmitriy Igorevich | Nesmelov, Sergey N.
Source: Journal of Physics: Conference Series. 2016. Vol. 735. P. 012012 (1-5)
Type: статьи в журналах
Date: 2016
Description: The paper presents brief research results of the admittance of metal-insulator- semiconductor (MIS) structures based on Hg1-xCdxTe grown by molecular-beam epitaxy (MBE) method including single HgCdTe/ ... More
Add   Влияние конструкции активной области AlGaInP светодиодов на низкотемпературные вольт-амперные характеристики
Authors: Олейник, Владимир Леонидович | Прудаев, Илья Анатольевич
Source: Физика твердого тела : сборник материалов XV Российской научной студенческой конференции, 18-20 мая 2016 г., г. Томск, Россия. Томск, 2016. С. 194-196
Type: статьи в сборниках
Date: 2016
Add   Применение короткопериодных сверхрешеток в светодиодных структурах на основе InGaN/GaN
Authors: Копьев, Виктор Васильевич | Романов, Иван Сергеевич | Прудаев, Илья Анатольевич
Source: Физика твердого тела : сборник материалов XV Российской научной студенческой конференции, 18-20 мая 2016 г., г. Томск, Россия. Томск, 2016. С. 175-177
Type: статьи в сборниках
Date: 2016
  • «
  • ←
  • 1
  • →
  • »
^